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何亮
青年科学基金项目
项目编号:
61904207 【年份:2019】
项目名称:
二次外延AlGaN势垒层的增强型p-gate GaN HEMT新结构研究
资助金额:
26万
单位名称:
工业和信息化部电子第五研究所
学科分类:
F0404.半导体电子器件与集成
参与者:
工业和信息化部电子第五研究所
二次外延AlGaN势垒层的增强型p-gate GaN HEMT新结构研究
项目批准号:
61904207
批准年份:
2019
学科分类:
F0404.半导体电子器件与集成
项目负责人:
何亮
资助类别:
青年科学基金项目
负责人职称:
其他副高级工程师
依托单位:
工业和信息化部电子第五研究所
资助金额:
26万元
关键词:
氮化镓;p型栅;二次外延;增强型;HEMT
起止时间:
2020-01-01到2022-12-31
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1
Quasi-vertical diamond temperature sensor by using Schottky-pn junction structure diode
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2
Correlating Device Behaviors with Semiconductor Lattice Damage at MOS Interface by Comparing Plasma-etching and Regrown Recessed-gate Al2O3/GaN MOS-FETs
期刊论文
Liang He;Liuan Li;Fan Yang;Yue Zheng;Jialin Zhang;Taotao Que;Zhenxing Liu;Jinwei Zhang;Qianshu Wu;Yang Liu
3
氮化镓基互补型逻辑电路研究进展及挑战
期刊论文
张彤;刘树强;何亮;成绍恒;李柳暗;敖金平
4
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8
A review of selective area grown recess structure for insulated-gate E-mode GaN transistors
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Liang He;Fan Yang;Yao Yao;Yue Zheng;Jialin Zhang;Liuan Li;Zhiyuan He;Yiqiang Ni;Xin Gu;Yang Liu
9
失效点的定位方法、装置、计算机设备、介质和程序产品
专利
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10
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Qianshu Wu;Jia Chen;Liang He;Jinwei Zhang;Qiuling Qiu;Chenliang Feng;Liuan Li;Taotao Que;Zhenxing Liu;Zhisheng Wu;Zhiyuan He;Yang Liu
12
一种具有高可靠性的氮化物器件及其制备方法
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Liang He;Liuan Li;Taotao Que;Jinwei Zhang;Chenliang Feng;Zhenxing Liu;Qianshu Wu;Jia Chen;Qiuling Qiu;Yapeng Wang;Chenglang Li;Qi Zhang;Yang Liu
18
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Yawen Zhao;Liuan Li;Taotao Que;Qiuling Qiu;Liang He;Zhenxing Liu;Jinwei Zhang;Qianshu Wu;Jia Chen;Zhisheng Wu;Yang Liu
19
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20
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X. Han;W. Lin;Q. Wang;S. Cheng;Liang He;L. Li
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