浅槽隔离氧化物电离辐射陷阱电荷剂量率效应机制
11505282
2015
A3001.粒子束与物质相互作用
崔江维
青年科学基金项目
研究员
中国科学院新疆理化技术研究所
21万元
剂量率效应;辐射感生陷阱电荷;浅槽隔离
2016-01-01到2018-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | Negative bias temperature instability on γ ray irradiated 90nm and 65nm PMOSFET | 会议论文 | Jiangwei Cui;Qiwen Zheng;Dezhao Yu;Hang Zhou;Dandan Su;Teng Ma;Xuefeng Yu;Qi Guo;Wu Lu;Chengfa He |
| 2 | Total Ionizing Dose Effects on Time-dependent Dielectric Breakdown in PMOS Capacitance Based on 65nm Process | 会议论文 | Ying Wei;Jiangwei Cui;Qiwen Zheng;Xuefeng Yu;Wu Lu;Chengfa He;Qi Guo |
| 3 | Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Upset Sensitivity of 130-nm PD SOI SRAMs | 期刊论文 | Zheng Qiwen;Cui Jiangwei;Liu Mengxin;Zhou Hang;Liu Mohan;Wei Ying;Su Dandan;Ma Teng;Lu Wu;Yu Xuefeng;Guo Qi;He Chengfa |
| 4 | 纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法 | 期刊论文 | 崔江维;郑齐文;余徳昭;周航;苏丹丹;马腾;郭旗;余学峰 |
| 5 | 沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 | 期刊论文 | 崔江维;郑齐文;余德昭;周航;苏丹丹;马腾;魏莹;余学峰;郭旗 |
| 6 | 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 | 专利 | 崔江维;郑齐文;魏莹;孙静;余学峰;郭旗;陆妩;何承发;任迪远 |
| 7 | Total ionizing dose effect on 65nm narrow channel transistors | 会议论文 | Jiangwei Cui;Qiwen Zheng;Ying Wei;Jing Sun;Xuefeng Yu;Wu Lu;Chengfa He;Qi Guo |
| 8 | Negative bias temperature instability on irradiated 90nm PMOSFET | 会议论文 | Jiangwei Cui;Qiwen Zheng;Hang Zhou;Dandan Su;Teng Ma;Ying Wei;Xuefeng Yu;Qi Guo;Wu Lu;Chengfa He |
| 9 | Hot-Carrier Effects on Total Dose Irradiated 65 nm n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors | 期刊论文 | Zheng Qi-Wen;Cui Jiang-Wei;Zhou Hang;Yu De-Zhao;Yu Xue-Feng;Guo Qi |
| 10 | Total Ionizing Dose Influence on the Single Event Multiple-Cell Upsets in 65nm 6-T SRAM | 期刊论文 | 郑齐文;崔江维;陆妩;郭红霞;刘杰;余学峰;王亮;刘家齐;何承发;任迪远;岳素格;赵元富;郭旗 |
| 11 | Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs | 期刊论文 | Zheng Qi-Wen;Cui Jiang-Wei;Wei Ying;Yu Xue-Feng;Lu Wu;Ren Diyuan;Guo Qi |
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