改善GaAsMESFET功率线性离子注入与退火技术研究
68876215
1988
F0404.半导体电子器件与集成
邱素娟
面上项目
高级工程师
中国电子科技集团公司第十三研究所
3万元
离子注入;杂质剪裁;功率GAASMESFET
1989-01-01到1991-12-31
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