垂直温度梯度凝固法(VGF)制备InP晶体的固液界面稳定性及孪晶的形成和调控机理研究
51871202
2018
E0102.金属材料制备与加工
王书杰
面上项目
高级工程师
中国电子科技集团公司第十三研究所
59万元
凝固及结晶;缺陷控制;定向凝固;界面稳定性;孪晶形核
2019-01-01到2022-12-31
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- 项目成果
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | LEC法生长高质量6英寸InP单晶 | 期刊论文 | 邵会民;孙聂枫;张晓丹;王书杰;刘惠生;孙同年;康永 |
| 2 | 半绝缘LEC-InP中Fe杂质浓度的分布均匀性 | 期刊论文 | 黄子鹏;杨瑞霞;孙聂枫;王书杰;陈春梅;田树盛 |
| 3 | 一种液态磷注入法合成磷化铟的方法 | 专利 | 付莉杰;孙聂枫;卜爱民;王书杰;李晓岚;张鑫;张晓丹;史艳磊;邵会民;王阳;欧欣;宋瑞良 |
| 4 | 一种大尺寸化合物半导体单晶制备方法 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;史艳磊;邵会民;徐森锋;付莉杰;王阳;李晓岚;欧欣;宋瑞良;刘惠生;孙同年 |
| 5 | 一种非金属半导体材料的提纯方法 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;刘惠生;孙同年;徐森锋;史艳磊;邵会民;付莉杰;姜剑;王阳;李晓岚 |
| 6 | 一种制备大尺寸单晶的方法 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;史艳磊;邵会民;李晓岚;王阳;付莉杰;徐森锋;姜剑;刘惠生;孙同年 |
| 7 | 一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的方法 | 专利 | 孙聂枫;王书杰;史艳磊;邵会民;付莉杰;李晓岚;王阳;徐森锋;刘惠生;孙同年 |
| 8 | 一种低应力晶体的生长方法 | 专利 | 史艳磊;孙聂枫;王书杰;付莉杰;邵会民;赵红飞;李亚旗;刘惠生;孙同年;康永;张晓丹;张鑫;姜剑;李晓岚;王阳;薛静 |
| 9 | 一种易燃废弃物燃烧处理装置 | 专利 | 史艳磊;孙聂枫;孙同年;刘惠生;王书杰;邵会民;付莉杰;王阳;李晓岚;赵红飞;李亚旗;张鑫;姜剑 |
| 10 | 一种磁场下合成及连续生长磷化物的方法 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;徐森锋;史艳磊;邵会民;付莉杰;卜爱民;李晓岚;王阳 |
| 11 | 一种大尺寸半导体单晶生长系统 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;史艳磊;邵会民;徐森锋;付莉杰;王阳;李晓岚;欧欣;宋瑞良;刘惠生;孙同年 |
| 12 | 一种反式注入合成连续VGF晶体生长装置及方法 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;孙同年;刘惠生;史艳磊;邵会民;付莉杰;姜剑;张晓丹;李晓岚;王阳;李乔;张学谦 |
| 13 | 太阳电池用多晶硅铸锭中非金属夹杂物的研究进展 | 期刊论文 | 周瑞;王书杰;孙聂枫;陈春梅;邵会民;刘惠生;孙同年 |
| 14 | Thermal Field of 6-inch Indium Phosphide Single Crystal Grown by Semi-Sealed Czchralski Method | 期刊论文 | SHI Yanlei;SUN Niefeng;XU Chengyan;WANG Shujie;LIN Peng;MA Chunlei;Xu Senfeng;WANG Wei;Chen Chunmei;FU Lijie;SHAO Huimin;LI Xiaolan;WANG Yang;QIN Jingkai |
| 15 | 磷化铟晶体中孪晶形成机理的研究进展 | 期刊论文 | 王书杰;孙聂枫;徐森锋;史艳磊;邵会民;姜剑;张晓丹 |
| 16 | 一种磷化铟衬底的抛光工艺 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;王阳;李晓岚;史艳磊;邵会民;付莉杰;刘铮;孙同年;刘惠生 |
| 17 | 一种摇摆式籽晶表面腐蚀、清洗、烘干装置及工艺方法 | 专利 | 姜剑;孙聂枫;孙同年;王书杰;邵会民;付莉杰;史艳磊;李晓岚 |
| 18 | Apparatus for preparing large-size single crystal | 专利 | Shujie Wang;Niefeng Sun;Shiyan Lei;Huimin Shao;Xiaolan Li;Yang Wang;Lijie Fu;Sengfeng Xu |
| 19 | 一种高纯半导体单晶的热等静压连接方法 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;孙同年;刘惠生;徐森锋 |
| 20 | VB/VGF法による結晶成長用石英管及び装置 | 专利 | 邵会民;孙聂枫;孙同年;刘惠生;王书杰;史艳磊;康永;姜剑;付莉杰;张晓丹 |
| 21 | 一种籽晶杆的可调式稳定装置 | 专利 | 姜剑;孙聂枫;孙同年;史艳磊;王书杰 |
| 22 | Device and Method for Continuous VGF Crystal Growth through Reverse Injection Synthesis | 专利 | Shujie Wang;Niefeng Sun;Tongnian Sun;Huisheng Liu;Yanlei Shi;Huimin Shao |
| 23 | 一种半绝缘磷化铟的制备方法 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;徐森锋;孙同年;刘惠生 |
| 24 | 一种合成半导体化合物的方法 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;史艳磊;刘峥;邵会民;姜剑;李晓岚;王阳;邹学锋;马春雷;张晓丹;康永;刘惠生;张鑫 |
| 25 | 一种非金属材料的提纯方法 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;刘惠生;孙同年;徐森锋;史艳磊;邵会民;付莉杰;姜剑;王阳;李晓岚 |
| 26 | 注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的方法 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;卜爱民;付莉杰;邵会民;刘峥;徐森锋;史艳磊;李晓岚;王阳;孙同年 |
| 27 | 高质量磷化铟制备 及微电子、光电子器件应用关键技术 | 奖励 | 孙聂枫;欧欣;王书杰;宋瑞良;卜爱民;陈宏泰 |
| 28 | BEST RESEARCHER AWARD | 奖励 | 王书杰 |
| 29 | InP高压直拉单晶炉的热场优化设计与分析 | 期刊论文 | 梁仁和;曾周末;孙聂枫;王书杰;孙同年 |
| 30 | Thermodynamics and kinetics of in situ synthesized In-P melt by the phosphorus injection and its solidification behavior | 期刊论文 | Shujie Wang;Niefeng Sun;Lijie Fu;Yang Wang;ZaoYang Li;Chunmei Chen;Huimin Shao;Yanlei Shi;Xiaolan Li;Jiajie Lin;Xinyu Zhou;Peng Gao;Xin Ou;Jian Jiang;Xiaodan Zhang;Huisheng Liu;Tongnian Sun |
| 31 | 化学配比对掺铁InP中铁激活效率的影响 | 期刊论文 | 黄子鹏;杨瑞霞;孙聂枫;王书杰;陈春梅 |
| 32 | 磷化铟晶体中Fe、B、Zn的杂质分布 | 期刊论文 | 王阳;孙聂枫;李晓岚;王书杰;邵会民;史艳磊;付莉杰 |
| 33 | 一种磷化铟衬底的抛光装置 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;王阳;李晓岚;史艳磊;邵会民;付莉杰;刘铮;孙同年;刘惠生 |
| 34 | 一种无坩埚制备大尺寸半导体晶体的方法 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;邵会民;徐森锋;李晓岚;王阳;史艳磊;姜剑;李亚旗;赵红飞;谷伟侠 |
| 35 | 一种离心合成与生长化合物晶体的装置及方法 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;徐森锋;邵会民;刘峥;史艳磊;姜剑;李晓岚;王阳;怀俊彦;孙作宝;张晓丹;康永;王维;刘惠生;李亚旗;赵红飞 |
| 36 | 一种磷化铟合成与VGF晶体制备的装置及方法 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;史艳磊;刘峥;邵会民;党冀萍;徐森锋;姜剑;李晓岚;王阳;张晓丹;刘惠生 |
| 37 | 一种半绝缘磷化铟的制备装置 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;徐森锋;孙同年;刘惠生 |
| 38 | 富铟磷化铟晶体中铟夹杂物基体特征分析 | 期刊论文 | 王昊宇;杨瑞霞;孙聂枫;王书杰;田树盛;陈春梅;刘惠生 |
| 39 | 高纯InP多晶的合成技术 | 期刊论文 | 付莉杰;张晓丹;张鑫;康永;王书杰;刘惠生;孙同年 |
| 40 | Rapid in-situ phosphorus injection synthesis of large quantity InP polycrystalline | 期刊论文 | Chunmei Chen;Ruixia Yang;Niefeng Sun;Shujie Wang;Yanlei Shi;Xiaolan Li;Yang Wang;Huimin Shao;Xiaodan Zhang;Jian Jiang |
| 41 | 液封直拉富铟InP中铟夹杂的纵向和横向分布 | 期刊论文 | 王昊宇;杨瑞霞;孙聂枫;王书杰;田树盛;陈春梅;孙士文;刘惠生;孙同年 |
| 42 | VGF-InP中气孔形成机理及对晶体质量的影响 | 期刊论文 | 田树盛;杨瑞霞;孙聂枫;王书杰;陈春梅;黄子鹏;付莉杰;王阳 |
| 43 | InP的快速大容量注入合成机理分析及多晶制备 | 期刊论文 | 李艳江;王书杰;孙聂枫;陈春梅;付莉杰;姜剑;张晓丹 |
| 44 | 一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统 | 专利 | 孙聂枫;王书杰;史艳磊;邵会民;付莉杰;李晓岚;王阳;徐森锋;刘惠生;孙同年 |
| 45 | 一种垂直温度梯度凝固制备磷化铟晶体的装置及方法 | 专利 | 党冀萍;孙聂枫;王书杰;徐森锋;史艳磊;刘峥;邵会民;姜剑;李晓岚;王阳;张晓丹;康永;刘惠生 |
| 46 | 磷化铟晶棒裁切衬底晶圆片的方法 | 专利 | 史艳磊;孙聂枫;王书杰;赵红飞;李亚旗;付莉杰;王阳;李晓岚;邵会民;刘惠生;姜剑 |
| 47 | 一种制备高成品率晶体的生长方法 | 专利 | 孙聂枫;王书杰;孙同年;刘惠生;邵会民;史艳磊 |
| 48 | 一种磁场下浸入式磷化物合成及生长装置 | 专利 | 党冀萍;孙聂枫;王书杰;徐森锋;史艳磊;邵会民;付莉杰;卜爱民;李晓岚;王阳 |
| 49 | Growth Method and Apparatus for Preparing High-Yield Crystals | 专利 | 孙聂枫;王书杰;孙同年;刘惠生;史艳磊 |
| 50 | 一种半导体磷化物注入合成系统的控制方法 | 专利 | 孙聂枫;王书杰;徐森锋;卜爱民;史艳磊;邵会民;李晓岚;王阳;宋瑞良;陈宏泰;刘惠生;孙同年 |
| 51 | 磷化铟单晶 | 奖励 | 孙聂枫;李晓岚;王阳;刘惠生;惠峰;朱刘;王书杰;邵会民;周铁军;史艳磊;付莉杰;王博;张晓丹;姜剑;王宇 |
| 52 | Influence of melt convection on distribution of indium inclusions in liquid-encapsulated Czochralski-grown indium phosphide crystals | 期刊论文 | Chunmei Chen;Ruixia Yang;Niefeng Sun;Shujie Wang;Lijie Fu;Yang Wang;Shusheng Tian;Zipeng Huang;Tongnian Sun;Huisheng Liu;Yanlei Shi;Xiaolan Li;Huimin Shao |
| 53 | 一种水平注入合成后旋转连续VGF晶体生长的方法 | 奖励 | 王书杰;孙聂枫;刘惠生;孙同年;史艳磊;邵会民;李晓岚;王阳;付莉杰 |
| 54 | 注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的系统 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;卜爱民;付莉杰;邵会民;刘峥;徐森锋;史艳磊;李晓岚;王阳;孙同年 |
| 55 | 一种半导体化合物注入合成方法 | 专利 | 史艳磊;孙聂枫;王书杰;刘峥;付莉杰;徐成彦;秦敬凯;邵会民;王阳;李晓岚;刘惠生;张晓丹;邹学锋;王维;张鑫;李亚旗;赵红飞;康永 |
| 56 | 一种晶体生长装置 | 专利 | 史艳磊;孙聂枫;王书杰;刘惠生;孙同年;付莉杰;赵红飞;李亚旗;邵会民;康永;张晓丹;张鑫;姜剑;王阳;李晓岚;薛静 |
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