磷注入原位合成InP熔体的反应机理及相关晶体生长缺陷研究
51401186
2014
E0102.金属材料制备与加工
王书杰
青年科学基金项目
高级工程师
中国电子科技集团公司第十三研究所
25万元
定向凝固;原位合成;晶体生长;半导体材料;磷化铟
2015-01-01到2017-12-31
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- 项目成果
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | 富铟熔体生长InP单晶的晶体缺陷及物理特性 | 期刊论文 | 韩应宽;杨瑞霞;孙聂枫;王书杰;王阳;李晓岚;孙同年 |
| 2 | Simulation on the solid-liquid interface shape of InP single crystal grown by LEC method | 会议论文 | Xinhui Liu;Shujie Wang;Linjie Gao;Huimin Shao;Yanlei Shi;Xiaolan Li;Yang Wang;Lijie Fu;Huisheng Liu;Tongnian Sun;Niefeng Sun |
| 3 | Eliminating of In inclusions in InP single crystals by the temperature gradient zone melting | 会议论文 | Niefeng Sun;Shujie Wang;Yingkuan Han;Ruixia Yang;Huisheng Liu;Tongnian Sun |
| 4 | 半导体晶片位错密度的检测方法 | 专利 | 孙聂枫;韩应宽;孙同年;李晓岚;付莉杰;王书杰;王阳 |
| 5 | Morphology of second-phase particles and pores in InP substrates and their elimination by a rapid in situ P injection before crystal growth | 期刊论文 | Shujie Wang;Niefeng Sun;Linjie Gao;Xinhui Liu;Yanlei Shi;Xiaolan Li;Huimin Shao;Yang Wang;Lijie Fu;Huisheng Liu;Tongnian Sun |
| 6 | 大尺寸InP 晶体中位错排及小角晶界的形成及分析 | 会议论文 | 王书杰;孙聂枫;王昊宇;史艳磊;邵会民;付莉杰;姜剑;张晓丹;杨瑞霞;刘惠生;孙同年 |
| 7 | 利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法 | 专利 | 孙聂枫;王书杰;刘惠生;孙同年 |
| 8 | 磷化铟切割片化学抛光液及磷化铟切割片的位错测定方法 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;高琳洁;李晓兰;王阳;邵会民;史艳磊;付莉杰;刘新辉;刘惠生;孙同年 |
| 9 | Investigation of morphology evolution of the In-rich inclusions and the corresponding defects in InP single crystals | 期刊论文 | S.J. Wang;N.F. Sun;L.J. Gao;Y.L. Shi;H.M. Sha;T.N. Sun |
| 10 | 一种水平注入合成后旋转连续VGF晶体生长的方法 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;刘惠生;孙同年 |
| 11 | 一种磷化铟单晶炉观察窗防污染装置 | 专利 | 孙聂枫;孙同年;史艳磊;王阳;刘惠生;王书杰 |
| 12 | Enhanced thermoelectric performance of CdO : Ag nanocomposites | 期刊论文 | Linjie Gao;Shufang Wang;Ran Liu;Xinyu Zha;Niefeng Sun;Shujie Wang;Jianglong Wang;Guangsheng Fu |
| 13 | 利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法 | 专利 | 孙聂枫;王书杰;刘惠生;孙同年 |
| 14 | 一种水平注入合成后旋转连续VGF晶体生长的装置及方法 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;刘惠生;孙同年 |
| 15 | 一种磷化铟单晶炉观察窗防污染装置 | 专利 | 孙聂枫;孙同年;史艳磊;王阳;刘惠生;王书杰 |
| 16 | 一种化合物原位合成连续晶体生长的VGF高压炉 | 专利 | 孙聂枫;王阳;王书杰;刘惠生;孙同年 |
| 17 | 高压原位合成多功能晶体生长系统 | 专利 | 孙聂枫;孙同年;王书杰;刘惠生;史艳磊;邵会民;王阳;李晓岚;付莉杰 |
| 18 | LEC 法InP 单晶生长平/缓放肩工艺中孪晶现象及分析 | 会议论文 | 史艳磊;孙聂枫;王昊宇;王书杰;李晓岚;邵会民;付莉杰;王阳;张晓丹;杨瑞霞;刘惠生;孙同年 |
| 19 | Morphologies of Second-phase Particles in InP Substrates and Its Influence on Crystal Quality | 会议论文 | Shujie Wang;Niefeng Sun;Linjie Gao;Yanlei Shi;Huimin Shao;Xiaolan Li;Yang Wang;Lijie Fu;Xinhui Liu;Huisheng Liu;Tongnian Sun |
| 20 | 高压原位合成多功能晶体生长系统 | 专利 | 孙聂枫;孙同年;王书杰;刘惠生;史艳磊;邵会民;李晓岚;付莉杰;王阳 |
| 21 | Dynamics analysis of growth-twin formation in compound crystals: Study on liquid encapsulated Czochralski-grown bulk InP single crystals | 会议论文 | Shujie Wang;Niefeng Sun;Huisheng Liu;Tongnian Sun |
| 22 | 一种高压单晶炉内防止热电偶被腐蚀或熔断的结构 | 专利 | 姜剑;孙聂枫;孙同年;王书杰;史艳磊 |
| 23 | 一种高压单晶炉内防止热电偶被腐蚀或熔断的结构 | 专利 | 姜剑;孙聂枫;孙同年;王书杰;史艳磊 |
| 24 | 高温高压容器内熔体温度测量用红外测温装置 | 专利 | 邵会民;孙聂枫;王书杰;史艳磊;李晓岚;王阳;付莉杰;刘惠生;孙同年 |
| 25 | 注入原位合成连续VGF/VB生长化合物半导体单晶的制备方法 | 专利 | 孙聂枫;王书杰;王阳;刘惠生;孙同年 |
| 26 | 一种化合物原位合成连续晶体生长的VGF高压炉 | 专利 | 孙聂枫;王阳;王书杰;刘惠生;孙同年 |
| 27 | 气体烟尘颗粒尾气的处理装置 | 专利 | 史艳磊;孙聂枫;王书杰;邵会民;李晓岚;王阳;付莉杰;刘惠生;孙同年 |
| 28 | 利用承载气体进行磷化物原位注入合成的系统 | 专利 | 孙聂枫;王书杰;刘惠生;孙同年 |
| 29 | 一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置 | 专利 | 王书杰;孙聂枫;刘惠生;孙同年 |
| 30 | Pressure control for the preparation of the large diameter InP crystal by LEC methodafter in-situ P injection synthesis | 会议论文 | Shujie Wang;Niefeng Sun;Yingkuan Han;Xiaolan Li;Huimin Shao;Yanlei Shi;Yang Wang;Lijie Fu;Huisheng Liu;Ruixia Yang;Tongnian Sun |
| 31 | 富铟熔体生长InP晶体中的微观缺陷 | 期刊论文 | 冯丰;王书杰;王阳 |
| 32 | 非配比InP材料研究进展 | 期刊论文 | 韩应宽;杨瑞霞;孙聂枫;王书杰;王阳;李晓岚;孙同年 |
| 33 | Enhanced thermoelectric performance in Mg and Ca substituted CdO ceramics | 期刊论文 | Linjie Gao;Shufang Wang;Ran Liu;Xinyu Zha;Niefeng Sun;Shujie Wang;Jianglong Wang;Guangsheng Fu |
| 34 | Evaluation of Etched Pits on InP Substrates by White-light Interference | 会议论文 | Yingkuan Han;Ruixia Yang;Niefeng Sun;ShujieWang;Xiaolan Li;Huisheng Liu;Tongnian Sun |
| 35 | 合成温度及凝固方式对磷化铟多晶质量的影响 | 会议论文 | 付莉杰;孙聂枫;王昊宇;史艳磊;王书杰;张晓丹;李晓岚;王阳;邵会民;杨瑞霞;刘惠生;孙同年 |
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