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赵策洲
面上项目
项目编号:
11375146 【年份:2013】
项目名称:
镧系元素掺杂二氧化铪和超薄二氧化铪的总剂量效应研究
资助金额:
81万
单位名称:
西交利物浦大学
学科分类:
A3004.核分析技术及应用
参与者:
西交利物浦大学
镧系元素掺杂二氧化铪和超薄二氧化铪的总剂量效应研究
项目批准号:
11375146
批准年份:
2013
学科分类:
A3004.核分析技术及应用
项目负责人:
赵策洲
资助类别:
面上项目
负责人职称:
教授
依托单位:
西交利物浦大学
资助金额:
81万元
关键词:
辐射诱发的漏电流和击穿;辐射损伤机理;辐射环境下的芯片实时脉冲测试;抗辐射加固;高k介质
起止时间:
2014-01-01到2017-12-31
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1
Total Ionizing Dose Response of HfxZr1-xOy Ge MOS Capacitors
会议论文
Yifei Mu;Ce Zhou Zhao;Qifeng Lu;Yanfei Qi;Chun Zhao;Ivona Z. Mitrovic;Stephen Taylor;Paul R. Chalker
2
Hysteresis in Lanthanide Aluminum Oxides Observed by Fast Pulse CV Measurement
期刊论文
Chun Zhao;Ce Zhou Zhao;Qifeng Lu;Xiaoyi Yan;Stephen Taylor;Paul R. Chalker
3
Atomic Layer Deposition of HfO2 Gate Dielectric with Surface Treatments and Post-Metallization Annealing for Germanium MOSFETs
会议论文
Lu Qifeng;Lam Sang;Mu Yifei;Zhao Ce Zhou;Zhao Yinchao;Fang Yuxiao;Yang Li;Taylor Steve;Chalker Paul
4
Effects of biased irradiation on charge trapping in HfO2 dielectric thin films
会议论文
Yifei Mu;Ce Zhou Zhao;Qifeng Lu;Chun Zhao;Yanfei Qi;Sang Lam;Ivona Z. Mitrovic;Stephen Taylor;Paul R. Chalker
5
一种半导体器件γ射线辐射响应的实时在线测试系统
专利
慕轶非;赵策洲
6
Investigation of Anomalous Hysteresis in MOS Devices With ZrO2 Gate Dielectrics
期刊论文
Qifeng Lu;Yanfei Qi;Ce Zhou Zhao;Chenguang Liu;Chun Zhao;Stephen Taylor;Paul R. Chalker
7
Total Dose Effects and Bias Instabilities of (NH4)2S Passivated Ge MOS Capacitors with HfxZr1-xOy Thin Films
期刊论文
Yifei Mu;Yuxiao Fang;Ce Zhou Zhao;Chun Zhao;Qifeng Lu;Yanfei Qi;Ruowei Yi;Li Yang;Ivona Z. Mitrovic;Stephen Taylor;Paul R. Chalker
8
Real-time and on-site c-ray radiation response testing system for semiconductor devices and its applications
期刊论文
Yifei Mu;Ce Zhou Zhao;Yanfei Qi;Sang Lam;Chun Zhao;Qifeng Lu;Yutao Cai;Ivona Z. Mitrovic;Stephen Taylor;Paul R. Chalker
9
Anomalous Capacitance-Voltage Hysteresis in MOS Devices with ZrO2 and HfO2 Dielectrics
会议论文
Qifeng Lu;Yanfei Qi;Ce Zhou Zhao;Chun Zhao;Stephen Taylor;Paul R. Chalker
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Qifeng Lu;Yifei Mu;Joseph W. Roberts;Mohammed Althobaiti;Vinod R. Dhanak;Jingjin Wu;Chun Zhao;Ce Zhou Zhao;Qian Zhang;Li Yang;Ivona Z. Mitrovic;Stephen Taylor;Paul R. Chalker
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Yifei Mu;Ce Zhou Zhao;Qifeng Lu;Chun Zhao;Yanfei Qi;Sang Lam;Ivona Z. Mitrovic;Stephen Taylor;Paul R. Chalker
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Dielectric Relaxation in Lanthanide Doped/Based Oxides Used for High-k Layers
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Ce Zhou Zhao;Stephen Taylor;Chun Zhao;Paul R. Chalker
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期刊论文
Jingjin Wu;Yinchao Zhao;Ce Zhou Zhao;Li Yang;Qifeng Lu;Qian Zhang;Jeremy Smith;Yongming Zhao
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Qifeng Lu;Ce Zhou Zhao;Chun Zhao;Steve Taylor;Paul R. Chalker
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17
一种PN结瞬时电容能谱测量系统
专利
吴京锦;赵策洲;刘晨光
18
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会议论文
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19
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期刊论文
Qifeng Lu;Yanfei Qi;Ce Zhou Zhao;Chun Zhao;Stephen Taylor;Paul R. Chalker
20
Radiation Tolerant DC Characteristics of InAs/GaAs Quantum-Dot Diodes
会议论文
YIfei MU;Sang Lam;Cezhou Zhao
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Qifeng Lu;Yifei Mu;Yinchao Zhao;C Z Zhao;S Taylor;P R Chalker
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Chun Zhao;Ce Zhou Zhao;Stephen Taylor;Paul R. Chalker
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专利
吴京锦;赵策洲;刘晨光
24
一种半导体器件瞬态电容的测试方法和系统
专利
吴京锦;赵策洲;刘晨光
25
Hysteresis in Lanthanide Zirconium Oxides Observed Using a Pulse CV Technique and including the Effect of High Temperature Annealing
期刊论文
Qifeng Lu;Chun Zhao;Yifei Mu;Ce Zhou Zhao;Stephen Taylor;Paul R. Chalker
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