高线性GaN微波功率器件研究
61874101
2018
F0404.半导体电子器件与集成
张凯
面上项目
高级工程师
中国电子科技集团公司第五十五研究所
63万元
高线性度;移动通信;AlGaN/GaN基HEMT;鳍式晶体管;低压工作
2019-01-01到2022-12-31
- 中英文摘要
- 结题摘要
- 结题报告
- 项目成果
- 项目参与人
查看更多信息请先登录或注册
查看更多信息请先登录或注册
查看更多信息请先登录或注册
| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | 基于ASM-HEMT的AlGaN/GaN FinFET器件建模 | 期刊论文 | 汪流;刘军;陶洪琪;孔月婵 |
| 2 | GaN太赫兹薄膜电路制备方法 | 专利 | 张凯;代鲲鹏;朱广润;步绍姜;房柏彤;王伟凡;陈堂胜 |
| 3 | 一种MSM结构的GaN肖特基双向变容二极管及其制作方法 | 专利 | 代鲲鹏;张凯;吴少兵;陈堂胜 |
| 4 | GaN HFET中的实时能带和电流崩塌 | 期刊论文 | 薛舫时;杨乃斌;郁鑫鑫 |
| 5 | 面向移动应用的GaN毫米波HEMT器件 | 会议论文 | 朱广润;张凯 |
| 6 | Si基GaN射频器件研究进展 | 期刊论文 | 房柏彤;朱广润;张凯;郭怀新;陈堂胜 |
| 7 | 截止频率0.8 THz的GaN肖特基二极管及其设计 | 期刊论文 | 代鲲鹏;张凯;李传皓 |
| 8 | 一种自对准的GaN肖特基二极管及其制造方法 | 专利 | 张凯;代鲲鹏 |
| 9 | 基于p型GaN结构的结型肖特基二极管及其制备方法 | 专利 | 王伟凡;张凯;朱广润;代鲲鹏;房柏彤 |
| 10 | GaN微波毫米波二极管及电路应用 | 会议论文 | 张凯 |
| 11 | 具有分割子器件的GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法 | 专利 | 张凯;朱广润;周建军;陈堂胜 |
查看更多信息请先登录或注册
