【11505137】累积剂量对电子器件的脉冲辐射响应影响机理研究国家自然基金项目 - 国家自然科学基金查询网

累积剂量对电子器件的脉冲辐射响应影响机理研究

项目批准号： 11505137

批准年份： 2015

学科分类： A3001.粒子束与物质相互作用

项目负责人：李瑞宾

资助类别：青年科学基金项目

负责人职称：助理研究员

依托单位：西北核技术研究院

资助金额： 18万元

关键词：电离损伤;辐射损伤机理;总剂量效应

起止时间： 2016-01-01到2018-12-31

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项目成果
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序号	标题	类型	作者
1	Impact of TID on the Transient Ionizing Irradiation Response of CMOS Circuits	会议论文	Li Ruibin;He Chaohui;Chen Wei
2	不同尺寸CMOS电路的瞬时电离辐射闩锁特性研究	会议论文	李瑞宾;贺朝会;陈伟
3	Study on the transient ionization radiation damage pattern of 0.18μm SRAM	会议论文	Li Junlin;Chen wei;Wang Guizhen;Li Ruibin
4	一种SRAM存储器抗瞬时电离辐射效应加固方法	专利	刘岩;陈伟;王桂珍
5	Experiment Research of Dose Rate Upset Effect on 40nm SRAM	会议论文	Li Junlin;Chen Wei;Li Ruibin
6	Comparison of latch up induced by pulsed X rays in CMOS circuits after neutron irradiation and TID accumulation	期刊论文	Ruibin Li;Chaohui He;Wei Chen
7	一种用于脉冲辐射环境的电磁屏蔽和长线驱动系统	专利	陈伟;李瑞宾;郭晓强
8	Synergistic Effects of TID and ATREE in Vertical NPN Bipolar Transistor	会议论文	Chenhui Wang;Ruibin Li;Wei Chen
9	Impact of TID on latch up induced by pulsed irradiation in CMOS circuits	期刊论文	Ruibin Li;Chaohui He;Wei Chen
10	一种脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关	专利	李瑞宾;王桂珍;陈伟;齐超;杨善潮
11	Synergistic Effects of TID and ATREE in Vertical NPN Bipolar Transistor	期刊论文	Ruibin Li;Chenhui Wang;Wei Chen;Chaohui He

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