β- Ga2O3氧化物半导体单晶的生长与导电性能的研究

91333106
2013
F0401.半导体材料
徐军
重大研究计划
教授
中国科学院上海硅酸盐研究所
91万元
半导体照明;GaN;β-Ga2O3;导模法;氧化物半导体
2014-01-01到2016-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究 期刊论文 罗平|钱小波|吴锋|徐军|
2 In:Ga2O3 半导体晶体的生长与性能研究 期刊论文 吴庆辉|罗平|王庆国|徐军|
3 光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性质研究 期刊论文 罗平|钱小波|吴锋|徐军|
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