高功率4H SiC光导开关超高耐压形成方法研究
51177003
2011
E0705.高电压与放电
周郁明
面上项目
教授
安徽工业大学
65万元
超高耐压;光导开关;宽禁带半导体;脉冲功率技术
2012-01-01到2015-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | Effects of Vanadium-compensated Concentration on the Electrical Characteristics of 6H-SiC Photoconductive Semiconductor Switches | 会议论文 | 周郁明| |
| 2 | 一种超高压光电导开关测试装置 | 专利 | 周郁明 |
| 3 | Effects of the n+ -Epilayer Thickness on the Electric Characteristics of 6H-SiC Photoconductive Semiconductor Switch with a Vertical Structure | 期刊论文 | Zhou Yuming|Jiang Haonan| |
| 4 | Effect of Surface Roughness on the Channel Mobility of 4H-SiC MOSFETs Considering Different Temperatures | 期刊论文 | Zhou Yuming|Chen Weiwei| |
| 5 | 超高压4H-SiC光导开关的设计与研究 | 会议论文 | 周郁明| |
| 6 | 钒补偿度对SiC光导开关特性影响的研究 | 期刊论文 | 周郁明|靳爱津|冯德仁| |
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