中子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管位移与极化协同作用机理研究
11705172
2017
A3005.中子技术及应用
陈泉佑
青年科学基金项目
助理研究员
中国工程物理研究院电子工程研究所
23万元
位移损伤;协和效应;极化效应;AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管;辐照损伤
2018-01-01到2020-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | Damage accumulation mechanism in PIN diode limiters induced via multiple microwave pulses | 期刊论文 | Zhao Jingtao;Chen Quanyou;Zhao Gang;Chen Chaoyang;Chen Zhidong |
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