碳化硅半导体材料中点缺陷的最优化设计
12004204
2020
A2002.凝聚态物质力热光电性质
张海山
青年科学基金项目
副教授
内蒙古大学
24万元
非辐射复合;深能级中心;点缺陷;宽禁带半导体;第一性原理计算
2021-01-01到2023-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | Origin of Ga vacancy-related YL center in n-type GaN: A first-principles study | 期刊论文 | Qian-Ji Wang;Hai-Shan Zhang;Lin Shi;Jian Gong |
| 2 | Theoretical Simulation and Experimental Verification of the Competition between Different Recombination Channels in GaN Semiconductor | 期刊论文 | Hai-Shan Zhang;Lin Shi;Zhenghui Liu;Gengzhao Xu;Wentao Song;ya-kun wang;zhong-jie xu;Xiaobao Yang;Yujun Zhao;Xuelin Yang;Bo Shen;Lin-Wang Wang;Ke Xu |
| 3 | Antisite Defect SiC as a Source of the DI Center in 4H-SiC | 期刊论文 | Hai-Shan Zhang;Jian Gong;Lin Shi |
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