高介电常数栅介质薄膜可控生长机理、微观结构与电学性质的理论研究

20973052
2009
B0301.化学理论与方法
任杰
面上项目
教授
河北科技大学
31万元
可控生长;第一性原理;高介电常数栅介质;微观结构;电学性质
2010-01-01到2012-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 Ⅲ-Ⅴ半导体界面钝化层材料生长机理的理论研究 会议论文 黄林林|任杰|Lin-lin Huang,Jie Ren College of Science,Hebei Uni|
2 密度泛函理论研究稀土配合物的磁学性质:Y~Ⅲ-,Gd~Ⅲ-氮氧自由基配合物磁耦合机理 期刊论文 任杰|王炳武|陈志达|REN Jie 1,2,WANG BingWu 1 & CHEN ZhiDa 1 1 Beijing|2 Hebei University of Science and Technology,Colle|
3 Density functional theory study of the magnetic properties of rare earth complexes: the magnetic coupling mechanism in Y-III and Gd-III complexes with nitronyl nitroxide 期刊论文 Ren Jie|Wang BingWu|Chen ZhiDa|
4 ZnS薄膜原子层沉积机理的密度泛函理论研究 期刊论文 赵卫标|任杰|ZHAO Wei-biao,REN Jie* (College of Science,Hebei U|
5 A theoretical study on initial growth mechanism of ZrO2 film using cyclopentadienyl-type precursor 期刊论文 Ren, Jie|Cui, Chengxing|Zhou, Guangfen|Liu, Yanchun|Hu, Yongqi|Wang, Baozhu|
6 茂金属前躯物在原子层沉积过程中反应机理的研究 会议论文 任杰|郭子成|Jie Ren, Zicheng Guo College of Science, Hebei Un|
7 原子层沉积ZrO2薄膜过程中失氯反应的理论研究 会议论文 任杰|周广芬|郭子成|
8 A density functional theory study on the reactions of chlorine loss in ZrO2 thin films by atomic-layer deposition 期刊论文 Cui, Chengxing|Ren, Jie|
9 BeO点缺陷的第一性原理研究 会议论文 黄林林|任杰|汤叔楩|
10 Ta2O5在Si（100）表面原子层沉积反应机理的密度泛函研究 期刊论文 任杰|周广芬|郭子成|张卫|REN Jie1*,ZHOU Guang-Fen1,GUO Zi-Cheng1,ZHANG Wei2|2.State Key Laboratory of Application Specific Int|
11 Initial growth mechanism of atomic layer deposited titanium dioxide using cyclopentadienyl-type precursor: A density functional theory study 期刊论文 Zhou, Guangfen|Ren, Jie|Zhang, Shaowen|
12 Molecular simulations of imidazolium-based ionic liquids with [1-lactate](-) anion and the binary mixture of [bmim][1-lactate] and 1-octanol 期刊论文 Jiang, Haichao|Zhao, Fengyun|Wang, Jianying|Liu, Zhiping|Ren, Jie|Liu, Runjing|Shang, Jiannan|Hu, Yongqi|
13 HfO(2), ZrO(2) and Al(2)O(3) 在硅表面原子层沉积过程中竞争反应的密度泛函理论研究 会议论文 Ren, Jie|Zhou, Guangfen|
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