碳化硅/二氧化硅界面态对MOSFET电学性能影响的机理性和实验性研究
51807054
2018
E0706.电力电子学
翟东媛
青年科学基金项目
副教授
湖南大学
25万元
碳化硅MOSFET;沟道迁移率;栅氧可靠性;电力电子器件;界面态
2019-01-01到2021-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | Electrical characterization of near-interface traps in thermally oxidized and NO-annealed SiO2/4H-SiC metal-oxide-semiconductor capacitors | 期刊论文 | Zhai Dongyuan;Gao Dan;Xiao Jing;Gong Xiaoliang;Yang Jin;Zhao Yi;Wang Jun;Lu Jiwu |
| 2 | Pre-deposition growth of interfacial SiO2 layer by low-oxygen-partial-pressure oxidation in the Al2O3/4H-SiC MOS structure | 期刊论文 | Zhai Dongyuan;Lv Zhipei;Zhao Yi;Lu Jiwu |
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