低功耗频率综合器的总剂量辐射效应研究

61804053
2018
F0406.集成电路器件、制造与封装
陈卓俊
青年科学基金项目
副教授
湖南大学
27万元
低功耗;总剂量效应;频率综合器;辐射损伤
2019-01-01到2021-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 A compact LDMOS DDSCR for HV ESD protections with high robustness and reliability 期刊论文 Chen Zhuojun;Lu Wenzhao;Wu Ming;Peng Wei;Hu Yuanyuan;Li Bo;Zeng Yun;Jin Xiangliang
2 A Radiation-Hardened Dual-Direction SCR Based on LDMOS for ESD Protection in the Extreme Radiation Environment 期刊论文 Wu Ming;Zhang Chenchen;Peng Wei;Xu Jun;Jin Hu;Zeng Yun;Chen Zhuojun
3 可控硅静电保护器件 专利 吴铭;陈卓俊;曾云;彭伟;吴志强
4 一种双态物理不可克隆函数电路 专利 张吉良;陈卓俊;李文商;关振宇
5 The impact of radiation and temperature effects on dual-direction SCR devices for on-chip ESD protections 期刊论文 Wu Ming;Lu Wenzhao;Zhang Chenchen;Peng Wei;Zeng Yun;Jin Hu;Xu Jun;Chen Zhuojun
6 A Physic-Based Explicit Compact Model for Reconfigurable Field-Effect Transistor 期刊论文 Ni Wangze;Dong Zhen;Huang Bairun;Zhang Yichi;Chen Zhuojun
7 Analysis and Mitigation of Single-Event Gate Rupture in VDMOS With Termination Structure 期刊论文 Chen Zhuojun;Zhang Chenchen;Wu Ming;Wang Teng;Zeng Yun;Wan Xin;Jin Hu;Xu Jun;Tang Minghua
8 Investigation of Total-Ionizing Dose Effects on the Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenide Field-Effect Transistors 期刊论文 Zheng Shuyun;Zeng Yun;Chen Zhuojun
9 A Comprehensive Study of a Bidirectional ESD Protection Device Under Harsh Environment 会议论文 陈卓俊;吴志强;吴铭;彭伟;曾云;金湘亮;李彬鸿;李博
10 Competitive Neural Network Circuit Based on Winner-Take-All Mechanism and Online Hebbian Learning Rule 期刊论文 Chen Zhuojun;Zhang Judi;Wen Shuangchun;Li Ya;Hong Qinghui
11 基于模糊反馈移位寄存器的物理不可克隆函数电路 专利 陈卓俊;关振宇;张吉良;李文商;丁林
12 一种抗单粒子加固的分频器电路 专利 陈卓俊;胡袁源
13 用于流水线ADC的无采样保持运放前端电路 期刊论文 陈迪平;张仁梓;曹伦武;陈卓俊;曾健平
14 Comparative Study of Total Ionizing Dose Effects on the Silicon-Controlled Rectifier Devices for HV and LV ESD Protections 会议论文 陈卓俊;吕文召;吴铭;彭伟;曾云;金湘亮
15 Design of a High-Performance Low-Cost Radiation-Hardened Phase-Locked Loop for Space Application 期刊论文 Chen Zhuojun;Ding Ding;Dong Yemin;Shan Yi;Zeng Yun;Gao Jiantou
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