栅注入晶体管结构的p-GaN/InAlN/GaN常关型功率器件研究

61704016
2017
F0404.半导体电子器件与集成
黄义
青年科学基金项目
教授
重庆邮电大学
29万元
栅注入晶体管;AlInN;漏电流;阈值电压;击穿电压
2018-01-01到2020-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 Photocurrent enhancement for ultrathin crystalline silicon solar cells via a bioinspired polymeric nanofur film with high forward scattering 期刊论文 Wensheng Yan;Yi Huang;Lu Wang;Felix Vüllers;Maryna N. Kavalenka;Hendrik Hölscher;Stephan Dottermusch;Bryce S. Richards;Efthymios Klampaftis
2 基于先进构架的无线通信系统模拟电路及芯片 奖励 杨虹;张红升;黄义
3 A Snapback-Free and Fast-Switching Shorted-Anode LIGBT With Multiple Current P-Plugs 期刊论文 Weizhong Chen;Shun Li;Yao Huang;Yi Huang;Zhengsheng Han
4 Snapback-free RC-LIGBT with integrated LDMOS and LIGBT 期刊论文 Chen Weizhong;Li Shun;Huang Yao;Huang Yi;He LiJun;Han ZhengSheng
5 一种具有p-GaN栅结构的常关型InAlN/GaN HMET器件及其制备方法 专利 黄义;李金鹏;陈伟中;李顺;张金沙;黄垚
6 The Simulation Study of the SOI Trench LDMOS With Lateral Super Junction 期刊论文 Chen Weizhong;He Lijun;Han Zhengsheng;Huang Yi
7 High‑performance normally ofp‑GaN gate high‑electron‑mobility transistor withIn0.17Al0.83N barrier layer design 期刊论文 Yi Huang;Jin Wang
8 一种具有槽型氧化层和垂直缓冲层的RC-LIGBT 专利 陈伟中;贺利军;黄义
9 关于发展第三代半导体产业的建议 奖励 黄义
10 A snapback-free RC-LIGBT with separated LDMOS and LIGBT by the L-shaped SiO2 layer 期刊论文 Chen Weizhong;Huang Yao;Li Shun;Wang LingLi;He Lijun;Huang Yi;Han Zhengsheng
11 一种具有多晶硅电子通道的SA-LIGBT器件 专利 黄义;李顺;黄垚;黄元熙;贺利军;张红升;陈伟中
12 一种通过MOSFET控制结终端集成体二极管的RC-IGBT器件 专利 陈伟中;郭乔;贺利军;黄义
13 一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件 专利 陈伟中;李顺;黄义;贺利军;秦窈
14 基于先进架构的低功耗高精度数据转化芯片及应用 奖励 杨虹;张红升;黄义
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