基于惰性原子掺杂源漏区的新型高效应变锗沟道技术研究
62004188
2020
F0405.半导体器件物理
何力
青年科学基金项目
助理研究员
中国科学院半导体研究所
24万元
电子结构；缺陷散射；有效质量；界面散射
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