MOCVD生长InAs/GaSbII类超晶格中界面形成动力学及其对超晶格性能的影响

11274301
2012
A2011.表面界面与低维物理
刘舒曼
面上项目
研究员
中国科学院半导体研究所
95万元
MOCVD;InAs/GaSbII类超晶格;生长动力学;界面
2013-01-01到2016-12-31
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