高能粒子辐照下碳化硅功率器件退化机理研究
11875068
2018
A3001.粒子束与物质相互作用
于庆奎
面上项目
研究员
中国空间技术研究院
62万元
航天器;单粒子栅穿;单粒子烧毁;碳化硅;辐射效应
2019-01-01到2022-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | Leakage Current Degradation in SiC Junction Barrier Schottky Diodes under Heavy Ion Microbeam | 会议论文 | Cao Shuang;Yu Qingkui;Du Guanghua;Guo Jinlong;Wang He;Zhang Hongwei;Sun Yi |
| 2 | Single Event Effects on SiC Junction Barrier Schottky diodes Induced by Heavy Ions | 会议论文 | YU Qingkui |
| 3 | Reliability of Latent Defects Induced by Heavy Ions in SiC Junction Barrier Schottky Diodes | 会议论文 | YU Qingkui |
| 4 | Application of Total Ionizing Dose Radiation Test Standards to SiC MOSFETs | 期刊论文 | Yu Qingkui;Waqas Ali;Cao Shuang;Wang He;Lv He;Sun Yi;Mo Rigen;Wang Qianyuan;Mei Bo;Sun Jiajia;Zhang Hongwei;Tang Min;Bai Song;Zhang Teng;Bai Yun;Zhang Chenrui |
| 5 | Radiation Effects on Silicon Carbide Junction Barrier Schottky Diodes Caused by High Energy Proton | 会议论文 | Cao Shuang;Yu Qingkui;Wang He;Sun Yi;Lv He;Mei Bo;Mo Rigen;Li Pengwei;Zhang Hongwei |
| 6 | SiC结势垒肖特基二极管的重离子单粒子效应 | 期刊论文 | 于庆奎;孙毅;梅博;魏志超;李晓亮;王贺;吕贺;李鹏伟;曹爽;唐民 |
| 7 | 宽禁带半导体SiC MOSFET器件电离总剂量效应试验研究 | 会议论文 | 于庆奎 |
| 8 | GaN功率放大器重离子辐照试验研究 | 会议论文 | 于庆奎 |
| 9 | Experimental study of total ionizing dose effect on SiC MOSFETs at temperature from −233 ◦C to 175 ◦C | 期刊论文 | Yu Qingkui;Cao Shuang;Lv He;Yi Sun;Mo Rigen;Wang Qianyuan;Mei Bo;Zhang Hongwei;Liu Chaoming;Yu Xuefeng |
| 10 | SiC器件在轨漏电流预估方法 | 专利 | 张琛睿;于庆奎;曹 爽;沈立志;王乾元;孙 毅;梅博;莫日根;吕贺;张洪伟 |
| 11 | 一种碳化硅器件单粒子效应的检测系统及方法 | 专利 | 王贺;于庆奎;曹 爽;刘艳秋;汪悦;张红旗;张大宇;梅博;孙毅;李晓亮;吕贺 |
| 12 | The study of sub threshold characteristics of 4-H SiC NMOSFET after ionizing dose for space application | 会议论文 | Waqas Ali;Yu Qingkui;Cao Shuang;Wang He |
| 13 | 重离子辐照1200V碳化硅二极管漏电退化的缺陷分析 | 期刊论文 | 曹爽;于庆奎;郑雪峰;常雪婷;王贺;孙毅;梅博;张洪伟;唐民 |
| 14 | 一种SiC MOSFET器件总剂量效应试验方法 | 专利 | 于庆奎;王贺;曹爽;孙毅;梅博;吕贺;莫日根;王乾元;孙佳佳;张洪伟 |
| 15 | Effect of Heavy Ion Irradiation on SiC MOSFET Gate Charge Parameter | 会议论文 | Chenrui Zhang;Qingkui Yu;Bo Mei;Shuang Cao;He Wang;Xuesheng Wang;Teng Zhang;Keyu liu;Shuang liu;Hainan Liu |
| 16 | Failure Analysis of Heavy Ion-Irradiated Silicon Carbide Junction Barrier Schottky Diodes | 会议论文 | Shuang Cao;Qingkui Yu;He Wang;Yi Sun;He Lv;Bo Mei;Qianyuan Wang;Rigen Mo;Pengwei Li;Hongwei Zhang |
| 17 | 空间质子直接和非直接电离引发单粒子效应的地面等效评估试验方法 | 期刊论文 | 于庆奎;王贺;曹 爽;孙 毅;罗 磊;吕 贺;梅 博;莫日根;张洪伟;唐民;刘淑芬;韩金华;郭刚;罗伊虹 |
| 18 | SiC器件单粒子效应敏感性分析 | 期刊论文 | 于庆奎;曹爽;张洪伟;梅博;孙毅;王贺;李晓亮;吕贺;李鹏伟;唐民 |
| 19 | MOS 电容器单粒子介质击穿导致 GaN 功率放大器失效分析 | 期刊论文 | 于庆奎;张洪伟;孙 毅;梅 博;李晓亮;吕 贺;李鹏伟;唐民;王哲力;文平 |
| 20 | 一种基于监测限流单元的减缓SiC二极管单粒子烧毁的方法 | 专利 | 曹爽;于庆奎;孙 毅;梅 博;王乾元;吕 贺;莫日根;魏志超;李鹏伟;张洪伟 |
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