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康旺
青年科学基金项目
项目编号:
61501013 【年份:2015】
项目名称:
基于自旋霍尔效应磁隧道结的新一代自旋电子电路研究
资助金额:
21万
单位名称:
北京航空航天大学
学科分类:
F0118.电路与系统
参与者:
北京航空航天大学
基于自旋霍尔效应磁隧道结的新一代自旋电子电路研究
项目批准号:
61501013
批准年份:
2015
学科分类:
F0118.电路与系统
项目负责人:
康旺
资助类别:
青年科学基金项目
负责人职称:
副研究员
依托单位:
北京航空航天大学
资助金额:
21万元
关键词:
自旋霍尔效应;低功耗;磁隧道结;自旋电子;集成电路
起止时间:
2016-01-01到2018-12-31
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1
优秀博士后
奖励
康旺
2
Emerging neuromorphic computing paradigms exploring magnetic skyrmions
会议论文
Li Sai;Kang Wang;Chen Xing;Bai Jinyu;Pan Biao;Zhang Youguang;Zhao Weisheng
3
Low Store Power High-Speed High-Density Nonvolatile SRAM Design With Spin Hall Effect-Driven Magnetic Tunnel Junctions
期刊论文
Kang Wang;Lv Weifeng;Zhang Youguang;Zhao Weisheng
4
Complementary Skyrmion Racetrack Memory With Voltage Manipulation
期刊论文
Kang Wang;Lv Weifeng;Zheng Chentian;Huang Yangqi;Zhang Xichao;Zhou Yan;Zhao Weisheng
5
Skyrmion dynamics in width-varying nanotracks and implications for skyrmionic applications
期刊论文
Chen Xing;Kang Wang;Zhu Daoqian;Lei Na;Zhang Youguang;Zhang Xichao;Zhou Yan;Zhao Weisheng
6
High-speed and low-power magnetic non-volatile flip-flop design with voltage-controlled magnetic anisotropy effect assistance
期刊论文
Kang Wang;Ran Yi;Lv Weifeng;Zhang Youguang;Zhao Weisheng
7
Addressing the Thermal Issues of STT-MRAM From Compact Modeling to Design Techniques
期刊论文
Zhang Liuyang;Cheng Yuanqing;Kang Wang;Torres Lionel;Zhang Youguang;Todri-Sanial Aida;Zhao Weisheng
8
A compact skyrmionic leaky-integrate-fire spiking neuron device
期刊论文
Chen Xing;Kang Wang;Zhu Daoqian;Lei Na;Zhang Youguang;Zhao Weisheng
9
Complementary Skyrmion Racetrack Memory Enables Voltage-Controlled Local Data Update Functionality
期刊论文
Chen Xing;Kang Wang;Zhu Daoqian;Zhang Xichao;Lei Na;Zhou Yan;Zhang Youguang;Zhao Weisheng
10
一种具有强垂直磁各向异性的磁隧道结构
专利
彭守仲;赵巍胜;康旺;张有光
11
一种基于非易失存储器的内存计算方法
专利
康旺;张和;赵巍胜
12
Skyrmion-Electronics: An Overview and Outlook
期刊论文
Kang Wang;Huang Yangqi;Zhang Xichao;Zhou Yan;Zhao Weisheng
13
Magnetic skyrmion-based artificial neuron device
期刊论文
Li Sai;Kang Wang;Huang Yangqi;Zhang Xichao;Zhou Yan;Zhao Weisheng
14
Stateful Reconfigurable Logic via a Single Voltage-Gated Spin Hall-Effect Driven Magnetic Tunnel Junction in a Spintronic Memory
期刊论文
Zhang He;Kang Wang;Wang Lezhi;Wang Kang L.;Zhao Weisheng
15
Skyrmion Racetrack Memory With Random Information Update/Deletion/Insertion
期刊论文
Zhu Daoqian;Kang Wang;Li Sai;Huang Yangqi;Zhang Xichao;Zhou Yan;Zhao Weisheng
16
Modeling and Exploration of the Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy Effect for the Next-Generation Low-Power and High-Speed MRAM Applications
期刊论文
Kang Wang;Ran Yi;Zhang Youguang;Lv Weifeng;Zhao Weisheng
17
Magnetic Skyrmions for Future Potential Memory and Logic Applications: Alternative Information Carriers
会议论文
Kang Wang;Chen Xing;Zhu Daoqian;Li Sai;Huang Yangqi;Hang Youguang;Zhao Weisheng
18
一种非易失性存储器数据读取方法
专利
康旺;张和;赵巍胜
19
基于自旋霍尔效应磁隧道结的非易失性锁存单元
专利
康旺;赵巍胜
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