新型结构的碳化硅MESFET器件的研究

60606022
2006
F0405.半导体器件物理
吕红亮
青年科学基金项目
教授
西安电子科技大学
30万元
MESFET;埋栅;射频;碳化硅
2007-01-01到2009-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 Simulation study on Field-Plated Buried Gate-Buried Channel SiC MESFETs 会议论文 吕红亮|
2 陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响 期刊论文 吕红亮|
3 The influence of interface states on the current gain of 4H-SiC bipolar transistors 会议论文 吕红亮|
4 Physically based model for trapping and self-heating effects in 4H-SiC MESFETs 期刊论文 Zhang, Yuming|Zhang, Yimen|Zheng, Shaojin|Cao, Quanjun|Lu, Hongliang|Che, Yong|
5 化合物半导体器件 专著 吕红亮|
6 4H-SiC 射频MESFET中陷阱参数的提取方法 期刊论文 Zhang Yu-Ming|Zhang Yi-Men|Chen Liang|Che Yong|Lu Hong-Liang|Wang Yue-Hu|
7 ESR characters of intrinsic defects in epitaxial semi-insulating 4H-SiC illuminated by Xe light 期刊论文 吕红亮|
8 金属 - 半导体场效应晶体管及其制作方法 专利 吕红亮
9 Analysis and Design of Class E Power Amplifier employing SiC MESFETs 会议论文 吕红亮|
10 High energy electron radiation effect on Ni/4H-SiC SBD and Ohmic contact 期刊论文 吕红亮|
11 A Simple Method of Surface Parameter Extraction for Gate Schottky Contact in 4H-SiC MESFETs 期刊论文 吕红亮|
12 High energy electron radiation effect on Ni and Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes at room temperature 期刊论文 吕红亮|
13 偏移场板结构的 4H-SiC PiN/ 肖特基二极管及其制作方法 专利 吕红亮
14 4H-SiC 肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析 期刊论文 吕红亮|
15 A new physics-based self-heating effect model for 4H-SiC MESFETs 期刊论文 吕红亮|
16 LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性 期刊论文 吕红亮|
17 场限环结构的 4H-SiC PiN/ 肖特基二极管制作方法 专利 吕红亮
18 陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响 期刊论文 吕红亮|
19 半绝缘 SiC 半导体器件欧姆接触的制作方法 专利 吕红亮
20 A comprehensive model of frequency dispersion in 4H-SiC MESFET 期刊论文 Zhang, Yimen|Zhang, Yuming|Lu, Hongliang|Zhang, Tao|
21 Electrothermal simulation of the self-heating effects in 4H-SiC MESFETs 期刊论文 Che Yong|Zhang Yu-Ming|Lu Hong-Liang|Zhang Yi-Men|
22 4H-SiC MESFET大信号非线性特性分析 期刊论文 吕红亮|
23 Sinusoidal steady state analysis on 4H-SiC buried channel MOSFETs 期刊论文 Lu Hong-Liang|Zhang Yi-Men|Ye Li-Hui|Zhang Yu-Ming|Zhang Tao|
24 Ni-4H SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应 期刊论文 吕红亮|
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