对称极化掺杂增强型功率GaN HFET机理与工艺实现研究
61874149
2018
F0404.半导体电子器件与集成
罗小蓉
面上项目
教授
电子科技大学
64万元
功率半导体器件;静态特性;极化掺杂;异质结;宽禁带半导体
2019-01-01到2022-12-31
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- 项目成果
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | Theoretical and Experimental Study on AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode on Si Substrate with Double-Heterojunction | 期刊论文 | Sun Tao;Luo Xiaorong;Wei Jie;Yang Chao;Zhang Bo |
| 2 | 一种具有鳍状阳极的垂直 GaN功率二极管 | 期刊论文 | 欧阳东法;杨超;孙涛;邓思宇;魏杰;张波;罗小蓉 |
| 3 | 一种集成续流二极管的GaN HEMT器件 | 专利 | 罗小蓉;廖德尊;张成;邓思宇;魏杰;贾艳江;孙涛;郗路凡 |
| 4 | 一种具有钝化层渐变氟离子终端的GaN HMET器件 | 专利 | 魏杰;邓思宇;郗路凡;孙涛;贾艳江;廖德尊;张成;罗小蓉 |
| 5 | 一种对称极化掺杂增强型高压GaN HFET | 期刊论文 | 彭富;欧阳东法;杨超;魏杰;邓思宇;张波;罗小蓉 |
| 6 | Polarization-Doped Enhancement Mode HEMT | 专利 | Xiaorong LUO;Fu PENG;Chao YANG;Jie WEI;Siyu DENG;Dongfa OUYANG;Bo ZHANG |
| 7 | 一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件的制造方法 | 专利 | 魏杰;赵智家;邓思宇;杨可萌;郗路凡;孙涛;廖德尊;张成;贾艳江;罗小蓉 |
| 8 | Vertical GaN Power MOSFET with Integrated Fin-Shaped Diode for Reverse Conduction | 期刊论文 | Tao Sun;Xiaorong Luo;Jie Wei;Kemeng Yang;Siyu Deng;Zhijia Zhao;Yanjiang Jia;Bo Zhang |
| 9 | High Breakdown Voltage AlGaN/GaN HEMT with Graded Fluorine Ion Implantation Terminal in Thick Passivation Layer | 会议论文 | Siyu Deng;Xiaorong Luo;Jie Wei;Yanjiang Jia;Tao Sun;Lufan Xi;Zhuolin Jiang;Kemeng Yang;Qingfeng Jiang;Bo Zhang |
| 10 | 一种采用选择性外延工艺的GaN CMOS反相器的制造方法 | 专利 | 薛刚;魏杰;赵智家;谢欣桐;孙涛;贾艳江;邓思宇;罗小蓉 |
| 11 | 一种双异质结极化增强的准纵向GaN HEMT器件 | 专利 | 罗小蓉;郗路凡;魏杰;孙涛;邓思雨;贾艳江;廖德尊;张成 |
| 12 | 一种采用选择性外延工艺的GaN HEMT的制造方法 | 专利 | 罗小蓉;赵智家;魏杰;谢欣桐;孙涛;邓思宇;贾艳江;薛刚 |
| 13 | High Breakdown Voltage and Low Dynamic ON-Resistance AlGaN/GaN HEMT with Fluorine Ion Implantation in SiNx Passivation Layer | 期刊论文 | Chao Yang;Xiaorong Luo;Sun Tao;Anbang Zhang;Ouyang Dongfa;Deng Siyu;Jie Wei;Bo Zhang |
| 14 | High performance enhancement-mode HEMT with 3DEG to conduct current and 3DHG as back barrier | 期刊论文 | Deng Siyu;Jie Wei;Ouyang Dongfa;Bo Zhang;Chao Yang;Xiaorong Luo |
| 15 | 一种基于GaN双异质结的单片集成芯片 | 专利 | 罗小蓉;贾艳江;孙涛;郗路凡;邓思宇;张成;廖德尊;赵智家;魏杰 |
| 16 | 一种集成肖特基管的GaN功率器件 | 专利 | 罗小蓉;贾艳江;张成;邓思宇;孙涛;杨可萌;魏杰;廖德尊;郗路凡;赵智家 |
| 17 | 一种双异质结GaN RC-HEMT器件 | 专利 | 魏杰;贾艳江;孙涛;郗路凡;邓思宇;赵智家;张成;廖德尊;罗小蓉 |
| 18 | 一种具有逆向导通能力的GaN RC-HEMT | 专利 | 罗小蓉;张成;廖德尊;邓思宇;杨可萌;魏杰;贾艳江;孙涛;郗路凡 |
| 19 | Low On-state Voltage and Latch-up Immunity Thin SOI LIGBT with Multi-Segmented Trench Gates | 会议论文 | Chao Yang;Xiaorong Luo;Tao Sun;Dongfa Ouyang;Anbang Zhang;Zhaoji Li;Bo Zhang |
| 20 | 一种具有多导电沟道及鳍式栅的增强型HEMT器件 | 专利 | 罗小蓉;孙涛;杨超;邓思宇;欧阳东法;冯锋;张波 |
| 21 | 一种采用选择性外延工艺的GaN P-FET器件的制造方法 | 专利 | 罗小蓉;谢欣桐;赵智家;薛刚;孙涛;魏杰;邓思宇;贾艳江 |
| 22 | 一种具有集成续流二极管的纵向GaN MOS | 专利 | 罗小蓉;孙涛;欧阳东法;郗路凡;杨超;邓思宇;魏杰;张波 |
| 23 | 一种具有倒梯形槽的垂直GaN二极管 | 专利 | 魏杰;廖德尊;张成;罗小蓉;邓思宇;贾艳江;孙涛;郗路凡 |
| 24 | 一种具有集成续流二极管的双异质结GaN HEMT器件 | 专利 | 罗小蓉;贾艳江;孙涛;张成;邓思宇;魏杰;廖德尊;郗路凡;赵智家 |
| 25 | 一种集成续流沟道二极管的垂直GaN MOSFET | 专利 | 魏杰;廖德尊;张成;邓思宇;贾艳江;孙涛;郗路凡;赵智家;罗小蓉 |
| 26 | High-Voltage Polarization-Superjunction GaN HEMT With Built-In SBD for Low Reverse Conduction Loss | 期刊论文 | Tao Sun;Kemeng Yang;Jie Wei;Yanjiang Jia;Siyu Deng;Zhijia Zhao;Bo Zhang;Xiaorong Luo |
| 27 | Vertical GaN Power Transistor with Embedded Fin-shaped Diode for High Performance Power Conversion | 会议论文 | Tao Sun;Xiaorong Luo;Jie Wei;Dongfa Ouyang;Gaoqiang Deng;Siyu Deng;Qian Wang;Song Bo;Bo Zhang |
| 28 | 一种具有鳍状结构的GaN HMET器件 | 专利 | 罗小蓉;邓思宇;廖德尊;魏杰;贾艳江;张成;孙涛;郗路凡 |
| 29 | 一种垂直GaN功率二极管 | 专利 | 罗小蓉;孙涛;欧阳东法;郗路凡;邓思宇;魏杰;张波 |
| 30 | 一种具有集成续流二极管的GaN纵向场效应晶体管 | 专利 | 罗小蓉;欧阳东法;郗路凡;孙涛;杨超;邓思宇;魏杰;张波 |
| 31 | High Performance Flip-Structure Enhancement-Mode HEMT with Face-to-Face Double Gates | 期刊论文 | Siyu Deng;Jie Wei;Cheng Zhang;Dezun Liao;Tao Sun;Kemeng Yang;Lufan Xi;Bo Zhang;Xiaorong Luo |
| 32 | 一种渐变极化掺杂的增强型GaN纵向场效应晶体管 | 专利 | 罗小蓉;贾艳江;张成;邓思宇;魏杰;廖德尊;孙涛;郗路凡 |
| 33 | A Novel AlGaN/GaN MIS-HEMT with Enhanced Breakdown Voltage and Reduced Interface Trap Density | 会议论文 | Chao Yang;Xiaorong Luo;T. Sun;A. Zhang;D. Ouyang;S. Deng;J. Wei;Bo Zhang |
| 34 | 一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件 | 专利 | 魏杰;赵智家;彭小松;杨可萌;孙涛;郗路凡;邓思宇;廖德尊;张成;贾艳江;罗小蓉 |
| 35 | 一种具有逆向导通能力的GaN RC-HEMT | 专利 | 罗小蓉;张成;廖德尊;邓思宇;杨可萌;贾艳江;魏杰;郗路凡;孙涛 |
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