利用电子电流增强电流密度的新型高压超结p-LDMOS的研究

61804021
2018
F0404.半导体电子器件与集成
易波
青年科学基金项目
副教授
电子科技大学
24万元
快速关断;多数载流子;超结;集成功率器件;LDMOS
2019-01-01到2021-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 A Vertical Thin Layer pLDMOS with Linear doping realizing ultralow Ron,sp 会议论文 Bo Yi;Zheng Wu;JunJi Cheng;HaiMengHuang;MouFu Kong;HongQiang Yang
2 一种超低比导通电阻的LDMOS器件及其制造方法 专利 易波;伍争
3 Simulation Study of a Novel Snapback Free Reverse-Conducting SOI-LIGBT With Embedded P-Type Schottky Barrier Diode 期刊论文 Bo Yi;Jia Lin;BingKe Zhang;Junji Cheng;Yong Xiang
4 A Novel High-Voltage Pseudo-p-LDMOS Device With Three Current Conductive Paths 期刊论文 Moufu Kong;Bo Yi;Bingke Zhang
5 A 600-V Super-Junction pLDMOS Utilizing Electron Current to Enhance Current Capability 期刊论文 Bo Yi;MouFu Kong;Jia Lin;JunJi Cheng;HaiMeng Huang;XingBi Chen
6 Simulation study of an ultra-low specific on-resistance high-voltage pLDMOS with self-biased accumulation layer 期刊论文 Bo Yi;Yi Feng Peng;Qing Zhao;MouFu Kong;JunJi Cheng;HaiMeng Huang
7 一种具有内嵌肖特基二极管的RC-LIGBT器件 专利 易波;赵青;蔺佳;杨瑞丰;侯云如;黄东
8 一种LDMOS器件 专利 易波
9 一种超结LDMOS器件 专利 易波
10 An Ultra-Low On-Resistance Triple RESURF Tri-Gate LDMOS Power Device 会议论文 Moufu Kong;Bo Yi;Xingbi Chen
11 Simulation Study of a p-LDMOS With Double Electron Paths to Enhance Current Capability 期刊论文 Bo Yi;Moufu Kong;JunJi Cheng
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