Si-RE-C助溶剂法低温高速生长高质量SiC单晶的基础研究

61964009
2019
F0401.半导体材料
雷云
地区科学基金项目
教授
昆明理工大学
39万元
体单晶;晶体生长;碳化硅单晶;化合物单晶
2020-01-01到2023-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 一种助溶剂法生长单晶或多晶SiC晶体的方法 专利 雷云;李鹏;雷敏鹏;邓幻;马文会
2 一种低温溶液法生长SiC晶体的方法 专利 雷云;邓幻;雷敏鹏;李鹏;马文会;母凤文;郭超
3 Novel Approach for the Simultaneous Recovery of Nd from Nd2O3-Containing Slag and the Preparation of High-Purity Si 期刊论文 Lei Minpeng;He Yong;Ma Wenhui;Zhang Rilin;Lei Yun
4 Promising Approach for Rapid Growth of High-Quality SiC Crystals Using Si–Nd–C Solutions 期刊论文 Li Peng;Lei Minpeng;Ma Wenhui;Guo Chao;Mu Fengwen;Lei Yun
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