直拉硅单晶的杂质工程：氮和锗杂质共掺的效应及其应用

61674126
2016
F0401.半导体材料
马向阳
面上项目
教授
浙江大学
62万元
杂质;大尺寸;微缺陷;直拉生长;硅单晶
2017-01-01到2020-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 碳杂质对直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的影响 期刊论文 周军委;原 帅;袁 康;余学功;马向阳;杨德仁
2 直拉硅单晶的杂质工程: 微量掺锗的效应 期刊论文 孙玉鑫;陈加和;余学功;马向阳;杨德仁
3 Carbon effect on the survival of vacancies in Czochralski silicon during rapid thermal anneal 期刊论文 Jian Zhao;Peng Dong;Kang Yuan;Xiaodong Qiu;Junwei Zhou;Jianjiang Zhao;Xuegong Yu;Xiangyang Ma;Deren Yang
4 微量掺锗直拉硅单晶技术及其应用 奖励 杨德仁;田达晰;余学功;马向阳
5 共掺锗和氮杂质的单晶硅片、其制备方法及包含所述硅片的集成电路 专利 马向阳;孙玉鑫;赵统;兰武;杨德仁
6 Effects of co-doping nitrogen and germanium on dislocation gliding in Czochralski silicon: Implication for improving mechanical strength 期刊论文 Yuxin Sun;Wu Lan;Tong Zhao;Jianjiang Zhao;Defan Wu;Xiangyang Ma;Deren Yang
7 一种硅片的高温压载装置及其应用 专利 马向阳;孙玉鑫;杨德仁
8 Comparison on mechanical properties of heavily phosphorus- and arsenic-doped Czochralski silicon wafers 期刊论文 Kang Yuan;Yuxin Sun;Yunhao Lu;Xingbo Liang;Daxi Tian;Xiangyang Ma;Deren Yang
9 Revisiting the effects of carbon-doping at 1017 cm−3 level on dislocation behavior of Czochralski silicon: from room temperature to elevated temperatures 期刊论文 Yuxin Sun;Tong Zhao;Wu Lan;Jian Zhao;Zhenyi Ni;Jianjiang Zhao;Xuegong Yu;Xiangyang Ma;Deren Yang
10 Effects of Antimony- and Tin-Doping on the Mechanical Properties of Czochralski Silicon: Revealing the Role of Electrical Activity of Antimony 期刊论文 Wu Lan;Yuxin Sun;Tong Zhao;Deren Yang;Xiangyang Ma
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