基于“背栅同步高压脉冲深能级瞬态谱”的氮化镓电流崩塌机理研究
61804172
2018
F0404.半导体电子器件与集成
康玄武
青年科学基金项目
高级工程师
中国科学院微电子研究所
24万元
MOSFET;动态特性;异质结;宽禁带半导体;HEMT
2019-01-01到2021-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | Analysis of reverse leakage mechanism in recess-free thin-barrier AlGaN/GaN Schottky barrier diode | 期刊论文 | Wu Hao;Kang Xuanwu;Zheng Yingkui;Wei Ke;Sun Yue;Li Pengfei;Liu Xinyu;Zhang Guoqi |
| 2 | 退火处理降低 AlGaN/GaN台面隔离电流 | 期刊论文 | 赵志波;杨兵;康玄武;张静;吴昊;孙跃;郑英奎;魏珂 |
| 3 | 降低氮化镓器件台面隔离漏电流的方法 | 专利 | 康玄武;赵志波;郑英奎;魏珂;刘新宇 |
| 4 | Investigation on Dynamic Characteristics of AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diode | 期刊论文 | Zhang Haitao;Kang Xuanwu;Zheng Yingkui;Wu Hao;Wei Ke;Liu Xinyu;Ye Tianchun;Jin Zhi |
| 5 | 无凹槽 AlGaN /GaN 肖特基势垒二极管正向电流输运机制 | 期刊论文 | 吴昊;康玄武;杨兵;张静;赵志波;孙跃;郑英奎;魏珂;闫江 |
| 6 | Thin-barrier gated-edge termination AlGaN/GaN Schottky barrier diode with low reverse leakage and high turn-on uniformity | 期刊论文 | Xuanwu Kang;Yingkui Zheng;Hao Wu;Ke Wei;Yue Sun;Guoqi Zhang;Xinyu Liu |
| 7 | GaN基集成器件及其制作方法 | 专利 | 康玄武;李鹏飞;刘新宇;郑英奎 |
| 8 | 薄势垒层的场板型肖特基二极管器件模型及参数提取方法 | 专利 | 刘芷诫;郑英奎;康玄武;陈晓娟;魏珂;刘新宇 |
| 9 | Ar离子注入边缘终端准垂直GaN肖特基势垒二极管 | 期刊论文 | 赵媛媛;郑英奎;康玄武;孙跃;吴昊;魏珂;刘新宇 |
| 10 | AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模 | 期刊论文 | 刘芷诫;郑英奎;康玄武;孙跃;吴昊;陈晓娟;魏珂 |
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