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黄火林
面上项目
项目编号:
61971090 【年份:2019】
项目名称:
氮化镓自支撑衬底大功率垂直结构场效应晶体管基础技术研究
资助金额:
59万
单位名称:
大连理工大学
学科分类:
F0118.电路与系统
参与者:
大连理工大学
氮化镓自支撑衬底大功率垂直结构场效应晶体管基础技术研究
项目批准号:
61971090
批准年份:
2019
学科分类:
F0118.电路与系统
项目负责人:
黄火林
资助类别:
面上项目
负责人职称:
教授
依托单位:
大连理工大学
资助金额:
59万元
关键词:
界面电荷调控;晶体管;氮化镓衬底;垂直结构;功率器件
起止时间:
2020-01-01到2023-12-31
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标题
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作者
1
Improvement on synaptic properties of WOx-based memristor by doping Ti into WOx
期刊论文
Yanhong Liu;Yusheng Wang;Chunxia Wang;Kun Liu;Chuanhui Cheng;Wenqi Lu;Huolin Huang
2
分布式光伏电站综合效益提升的关键技术及应用(GaN技术在光伏行业的应用示范)
奖励
王可胜;黄火林;程晓民;郭万东;吴其林;张自锋;杨志兵;王玉勤;柏爱玉;徐兵
3
Effects of substrate termination on Ron increase under stress in 650 V GaN power devices
期刊论文
Feiyu Li;Ronghua Wang;Huolin Huang;Yongshuo Ren;Guangshan Ren;Zhuang Liang;Fubin Zhou;Wanxi Cheng;Huinan Liang
4
Synaptic mechanisms of four W/WO x /ITO memristors with different WO x structures
期刊论文
Yanhong Liu;Yusheng Wang;Chunxia Wang;Sun Nan;Chuanhui Cheng;Jianxun Dai;Huolin Huang
5
High-temperature three-dimensional GaN-based hall sensors for magnetic field detection
期刊论文
Huolin Huang;Hui Zhang;Yaqing Cao;Yanhong Liu;Kaiming Ma;Kun Liu;Yung C Liang
6
Effects of SiON/III-nitride interface properties on device performances of GaN-based power field-effect transistors
期刊论文
Zhonghao Sun;Huolin Huang;Ronghua Wang;Yanhong Liu;Nan Sun;Feiyu Li;Pengcheng Tao;Yongshuo Ren;Shukuan Song;Hongzhou Wang;Shaoquan Li;Wanxi Cheng;Jun Gao;Huinan Liang
7
一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法
专利
黄火林;赵程
8
Polarization doping modulated heterojunction electron gas in AlGaN/GaN CAVETs
期刊论文
Ni Zeng;Yi’an Yin;Kai Li;Fengbo Liao;Huolin Huang
9
Improving Gate Reliability of 6-In E-Mode GaN-Based MIS-HEMTs by Employing Mixed Oxygen and Fluorine Plasma Treatment
期刊论文
Nan Sun;Huolin Huang;Zhonghao Sun;Ronghua Wang;Shuxing Li;Pengcheng Tao;Yongshuo Ren;Shukuan Song;Hongzhou Wang;Shaoquan Li;Wanxi Cheng;Huinan Liang
10
High-Temperature Three-Dimensional Hall Sensor Wtih Real-Time Working Temperature Monitoring Function And Manufacturing Methof Therefor
专利
黄火林;张卉
11
基于复合氮化物和磁致伸缩材料结构的高灵敏度压力传感器制作方法
专利
黄火林;项飙;郭冰;代建勋;夏跃春;刘艳红;陶鹏程;覃开蓉
12
Improving Performances of Enhancement-Mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs on 6-inch Si Substrate Utilizing SiON/Al2O3 Stack Dielectrics
期刊论文
Zhonghao Sun;Huolin Huang;Ronghua Wang;Nan Sun;Pengcheng Tao;Yongshuo Ren;Shukuan Song;Hongzhou Wang;Shaoquan Li;Wanxi Chen;Jun Gao;Huinan Liang
13
高性能第三代半导体磁传感器芯片关键技术及应用
奖励
黄火林;王可胜;张自锋;代建勋;黄辉;项飙
14
Temperature-Dependent Hot Electron Effects and Degradation Mechanisms in 650-V GaN-based MIS-HEMT Power Devices under Hard Switching Operations
期刊论文
Feiyu Li;Ronghua Wang;Huolin Huang;Y. Ren;Z. Liang;G. Ren;P. Tao;Z. Sun;N. Sun;C. Zhao;H. Liang
15
基于SiON/Al2O3叠层介质的薄势垒型HEMT栅极相关可靠性研究
期刊论文
孙仲豪;代建勋;孙楠;王荣华;黄火林
16
A Novel Analytical Model for Ohmic Contacts to Planar Devices: Theoretical Design and Experimental Verification
期刊论文
Zhonghao Sun;Huolin Huang;Yanhong Liu;YiAn Yin;Kairong Qin;Pengcheng Tao;Kun Liu;Nan Sun;Yung C. Liang
17
Demonstration of High-Performance GaN-Based Hall Sensors on Si Substrate by Simulation and Experiment Verification
期刊论文
Kaiming Ma;Huolin Huang;Nannan Ding;Nan Sun;Jianxun Dai;Zhonghao Sun;Hui Zhang;Pengcheng Tao;Yanhong Liu;Kairong Qin;Yung C. Liang
18
GaN基增强型HEMT器件的研究进展
期刊论文
黄火林;孙楠
19
High-Threshold-Voltage Normally-off High-Electron-Mobility Transistor and Preparation Method Therefor
专利
黄火林;孙仲豪
20
AlGaN/GaN magnetic sensors featuring heterojunction 2DEG channel
期刊论文
Hui Zhang;Huolin Huang;Kaiming Ma;Nannan Ding;Jianxun Dai;Zhonghao Sun;Nan Sun;Kairong Qin
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