基于二维纳米材料的半导体器件模拟方法研究
61250014
2012
F0404.半导体电子器件与集成
刘晓彦
专项基金项目
教授
北京大学
20万元
二维纳米材料;载流子输运;半导体器件;模拟;能带结构
2013-01-01到2013-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | Phonon-Limited Electron Mobility in Single-Layer MoS2 | 期刊论文 | ZENG Lang|XIN Zheng|CHEN Shaowen|DU Gang|LIU Xiaoyan| |
| 2 | Remote phonon and impurity screening effect of substrate and gate dielectric on electron dynamics in single layer MoS2 | 期刊论文 | Zeng, Lang|Xin, Zheng|Chen, Shaowen|Du, Gang|Kang, Jinfeng|Liu, Xiaoyan| |
| 3 | Strain Effect on Electronic Properties Tuning of Bilayer WS2 | 会议论文 | Zheng Xin|Lang Zeng|Kangliang Wei|Gang Du|Jinfeng Kang|Xiaoyan Liu| |
| 4 | Strain Affected Electronic Propertiesof Bilayer Tungsten Disulfide (WS2) | 期刊论文 | Zheng Xin|Lang Zeng|Yijiao Wang|Kangliang Wei|Gang Du|Xiaoyan Liu| |
| 5 | The Electronic Properties of Ultra-narrow Armchair MoS2 Nanoribbon | 会议论文 | Zheng Xin|Lang Zeng|Kangliang Wei|Gang Du|Jinfeng Kang|Xiaoyan Liu| |
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