基于CMOS工艺的动态电源驱动架构射频集成功率放大器关键问题研究
61076030
2010
F0402.集成电路设计
陈晓飞
面上项目
副教授
华中科技大学
38万元
DC-DC变换器;开关噪声;射频功率放大器;LDMOS
2011-01-01到2013-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | A new high performance RF LDMOS with vertical n+n-p-p+ drain structure | 会议论文 | 陈晓飞|沈亚丁|邹雪城|林双喜|邹望辉| |
| 2 | A 5.8GHz fully integrated LNA with solenoid inductors in 0,18um CMOS baseline process | 会议论文 | 邹望辉|陈晓飞|邹志革|林双喜| |
| 3 | 带有源巴伦的CMOS宽带低噪声放大器设计 | 期刊论文 | 陈晓飞|李小晶|邹雪城|林双喜| |
| 4 | A 1.8mW 2MHz signal bandwidth continuous-time sigma-delta modulator | 会议论文 | Xiao-fei Chen|Jin-bo Xu|Xue-cheng Zou|Shuang-xi Lin| |
| 5 | 一种射频功率放大器功率控制系统 | 专利 | 陈晓飞; 沈军; 沈亚丁; 邹雪城 |
| 6 | A Inverting-Charge-Pump White LED Driver with High Efficiency | 会议论文 | 陈晓飞|鲍清雷|林双喜|邹雪城|邹望辉| |
| 7 | An Improved Analytical Series Resistance Model for On-Chip Stacked Inductors | 会议论文 | 邹望辉|陈晓飞|邹雪城| |
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