基于介电弛豫时间模型的硅基GaN功率开关器件动态导通电阻特性及控制技术研究

61774002
2017
F0404.半导体电子器件与集成
王茂俊
面上项目
副教授
北京大学
58万元
陷阱;硅基;高迁移率晶体管;动态特性;宽禁带半导体
2018-01-01到2021-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 一种提高GaN增强型MOSFET阈值电压的新型外延层结构 专利 王茂俊;陶明
2 Suppressing Buffer-Induced Current Collapse in GaN HEMTs with a Source-Connected p-GaN (SCPG): A Simulation Study 期刊论文 Lin Wei;Wang Maojun;Sun Haozhe;Xie Bing;Wen Cheng P.;Hao Yilong;Shen Bo
3 一种优化平面布局和结构的大电流氮化镓高电子迁移率晶体管 专利 孙辉;王茂俊;陈建国;陈东敏
4 Investigation of the Trap States and V-TH Instability in LPCVD Si3N4/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with an In-Situ Si3N4 Interfacial Layer 期刊论文 Sun Hui;Wang Maojun;Yin Ruiyuan;Chen Jianguo;Xue Shuai;Luo Jiansheng;Hao Yilong;Chen Dongmin
5 Fabrication of High-Uniformity and High-Reliability Si3N4/AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Self-Terminating Dielectric Etching Process in a 150-mm Si Foundry 期刊论文 Sun Hui;Wang Maojun;Chen Jianguo;Liu Peng;Kuang Wenteng;Liu Meihua;Hao Yilong;Chen Dongmin
6 Characterization of 880 V Normally Off GaN MOSHEMT on Silicon Substrate Fabricated With a Plasma-Free, Self-Terminated Gate Recess Process 期刊论文 Tao Ming;Liu Shaofei;Xie Bing;Wen Cheng P;Wang Jinyan;Hao Yilong;Wu Wengang;Cheng Kai;Shen Bo;Wang Maojun
7 一种氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制作方法 专利 孙辉;王茂俊;陈建国;陈东敏
8 Optimization of Au-Free Ohmic Contact Based on the Gate-First Double-Metal AlGaN/GaN MIS-HEMTs and SBDs Process 期刊论文 Sun Hui;Liu Meihua;Liu Peng;Lin Xinnan;Chen Jianguo;Wang Maojun;Chen Dongmin
9 Gate-Recessed Normally OFF GaN MOSHEMT With High-Temperature Oxidation/Wet Etching Using LPCVD Si3N4 as the Mask 期刊论文 Gao Jingnan;Jin Yufeng;Hao Yilong;Xie Bing;Wen Cheng P;Shen Bo;Wang Maojun
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