HfOx忆阻器的量子化电导调控研究
11674112
2016
A2003.凝聚态物质输运性质
孙华军
面上项目
教授
华中科技大学
67万元
信息存储器;阻变式存储器;HfOx;量子化电导;忆阻器
2017-01-01到2020-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | 一种基于HfO2-x 的二值和多值忆阻器、制备方法及其应用 | 专利 | 孙华军;何维凡;王标;缪向水 |
| 2 | Coexistence of Digital and Analog Resistive Switching With Low Operation Voltage in Oxygen-Gradient HfOx Memristors | 期刊论文 | Li Zhaonan;Tian Baoyi;Xue Kan Hao;Wang Biao;Xu Ming;Lu Hong;Sun Huajun;Miao Xiangshui |
| 3 | 基于金属氧化物氧浓度梯度的高性能忆阻器件及其制备 | 专利 | 孙华军;王标;李兆男;缪向水 |
| 4 | Conducting mechanism of Ag-diffused Bi-Te based resistive switching devices | 期刊论文 | Liu N;Yan P;Li Y;Lu K;Sun H J;Ji H K;Xue K H;Miao X S |
| 5 | 一种兼具易失性与非易失性的CuxO忆阻器及其调控方法 | 专利 | 孙华军;王涛;缪向水 |
| 6 | 忆阻器导论 | 专著 | 缪向水;李祎;孙华军;薛堪豪 |
| 7 | Performance enhancement of TaOx resistive switching memory using graded oxygen content | 期刊论文 | B. Wang;K. H. Xue;H. J. Sun;Z. N. Li;W. Wu;P. Yan;N. Liu;B. Y. Tian;X. X. Liu;X. S. Miao |
| 8 | Self-compliance characteristics and switching degradation in TaOx-based memristors | 期刊论文 | Jiang Mingrui;Wane Biao;Xue Kan Hao;Liu Nian;Sun Huajun;Lu Hong;Miao Xiangshui |
| 9 | Conductance quantization in an AgInSbTe-based memristor at nanosecond scale | 期刊论文 | Jiang L;Xu L;Chen J W;Yan P;Xue K H;Sun H J;Miao X S |
| 10 | 低功耗高安全嵌入式系统芯片技术及应用 | 奖励 | 王翔;肖利民;任奇;章隆兵;夏同生;张蕾;范东睿;冯建华;范宝峡;孙华军;王维克;王涛;赵宗民;张准;郝强 |
| 11 | Customized binary and multi-level HfO2-x-based memristors tuned by oxidation conditions | 期刊论文 | He Weifan;Sun Huajun;Zhou Yaxiong;Lu Ke;Xue Kanhao;Miao Xiangshui |
| 12 | 一种大窗口模拟型HfOx同质结忆阻器及其实现方法 | 专利 | 孙华军;田宝毅;缪向水 |
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