用于VLSI的热氮化SiO2新型优质薄栅特性的研究
69076434
1990
F0406.集成电路器件、制造与封装
陈蒲生
面上项目
副教授
华南理工大学
5万元
陷阱特性;快速热氮化;界面态
1991-01-01到1993-12-31
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