HEMT中掺C半绝缘GaN缓冲层的制备及掺杂机制的研究
61804044
2018
F0401.半导体材料
李珣
青年科学基金项目
讲师
河北工业大学
24万元
氮化镓;高电子迁移率晶体管;碳掺杂;III-V族半导体单晶;外部气体源
2019-01-01到2021-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | 一种具有渐变高电阻率的氮化镓半绝缘缓冲层及制备方法 | 专利 | 李珣 |
| 2 | 小切角衬底上 4H-SiC 同质外延薄膜的形貌 | 期刊论文 | 李珣;朱松冉;姜霞 |
| 3 | Properties of carbon-doped GaN using isobutane as a dopant | 会议论文 | Xun Li;Songran Zhu |
| 4 | Optical properties of AlGaN/GaN epitaxial layers grown on different face GaN substrates | 期刊论文 | Xun Li;Carl Hemmingsson;Urban Forsberg;Erik Janzén;Galia Pozina |
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