二维黑砷及其异质结的电子结构与光电器件研究
61904205
2019
F0408.新型信息器件
钟绵增
青年科学基金项目
副教授
中南大学
26万元
二维材料;稳定性;光电器件;异质结;电子能带结构
2020-01-01到2022-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | Gate-controlled ambipolar transport in b-AsP crystals and their VIS-NIF photodetection | 期刊论文 | Mianzeng Zhong;Haotong Meng;Zhihui Ren;Le Huang;Juehan Yang;Bo Li;Qinglin Xia;Xiaoting Wang;Zhongming Wei;Jun He |
| 2 | In-Plane Optical and Electrical Anisotropy of 2D Black Arsenic | 期刊论文 | Zhong Mianzeng;Meng Haotong;Liu Sijie;Yang Huai;Shen Wanfu;Hu Chunguang;Yang Juehan;Ren Zhihui;Li Bo;Liu Yunyan;He Jun;Xia Qinglin;Li Jingbo;Wei Zhongming |
| 3 | A new single-element layered two-dimensional semiconductor:black arsenic | 期刊论文 | Zhong Mianzeng;He Jun |
| 4 | Rashba valleys and quantum Hall states in few-layer black arsenic | 期刊论文 | Feng Sheng;Chenqiang Hua;Man Cheng;Jie Hu;Xikang Sun;Qian Tao;Hengzhe Lu;Yunhao Lu;Mianzeng Zhong;Kenji Watanabe;Takashi Taniguchi;Qinglin Xia;Zhu-An Xu;Yi Zheng |
| 5 | Stability and Phase Transition of Metastable Black Arsenic Under High Pressure | 期刊论文 | Chaofeng Gao;Ruiping Li;Mianzeng Zhong;Rong Wang;Meng Wang;Changqing Lin;Liping Huang;Yingchun Cheng;Wei Huang |
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