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基于应变机制长波长GaAs基量子异质结构材料的研究 2008年已结题

项目批准号：60644004
批准年份：2006年
学科分类： F0405.半导体器件物理
负责人：俞重远
省份：北京
依托单位：北京邮电大学
资助金额：17万元
资助类别：专项基金项目
关键词：异变异质结构;长波长激;量子结构材料;应变减少层;应变补偿层
研究成果：期刊论文(0);会议论文(0);著作(0);奖励(0);专利(0);
       参与人数:9人

用掠角沉积新技术定向生长硅纳米线的研究 2005年已结题

项目批准号：60444009
批准年份：2004年
学科分类： F0405.半导体器件物理
负责人：朱美芳
省份：北京
依托单位：中国科学院大学
资助金额：6万元
资助类别：专项基金项目
关键词：掠角沉积;热催化化学气相沉积;硅纳米线阵列..
研究成果：期刊论文(0);会议论文(0);著作(0);奖励(0);专利(0);
       参与人数:7人

偶载场效应晶体管的工艺优化和应用验证 2004年已结题

项目批准号：60244004
批准年份：2002年
学科分类： F0405.半导体器件物理
负责人：韩德俊
省份：北京
依托单位：北京师范大学
资助金额：20万元
资助类别：专项基金项目
关键词：偶载场效应管.短沟道.新器件
研究成果：期刊论文(0);会议论文(0);著作(0);奖励(0);专利(0);
       参与人数:9人

锗硅MBE材料生长及在HBT和红外探测器上的应用 1996年已结题

项目批准号：69386005
批准年份：1993年
学科分类： F0405.半导体器件物理
负责人：周均铭
省份：北京
依托单位：中国科学院物理研究所
资助金额：8万元
资助类别：专项基金项目
关键词：超晶格;硅材料
研究成果：期刊论文(0);会议论文(0);著作(0);奖励(0);专利(0);
       参与人数:5人

表面与界面复合对异质结材料与器件发光效率的影响 1991年已结题

项目批准号：68880604
批准年份：1988年
学科分类： F0405.半导体器件物理
负责人：李玉璋
省份：北京
依托单位：中国科学院半导体研究所
资助金额：3万元
资助类别：专项基金项目
关键词：表面界面;半导体;异质结
研究成果：期刊论文(0);会议论文(0);著作(0);奖励(0);专利(0);
       参与人数:0人

半导体激光器列阵集成技术基础研究 1990年已结题

项目批准号：68786007
批准年份：1987年
学科分类： F0405.半导体器件物理
负责人：余金中
省份：北京
依托单位：中国科学院半导体研究所
资助金额：5万元
资助类别：专项基金项目
关键词：***
研究成果：期刊论文(0);会议论文(0);著作(0);奖励(0);专利(0);
       参与人数:0人

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