基于拓扑绝缘体的负量子电容晶体管及其超陡峭亚阈值摆幅特性研究

61904033
2019
F0408.新型信息器件
朱颢
青年科学基金项目
研究员
复旦大学
24万元
二维材料;拓扑绝缘体;负量子电容;晶体管;亚阈值摆幅
2020-01-01到2022-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 一种负量子电容器件及其制备方法 专利 朱颢;杨雅芬;张凯;孙清清
2 Steep-Slope Negative Quantum Capacitance Field- Effect Transistor 会议论文 Yafen Yang;Kai Zhang;Yi Gu;Parameswari Raju;Qiliang Li;Li Ji;Lin Chen;Dimitris E. Ioannou;Qingqing Sun;David Wei Zhang;Hao Zhu
3 Channel-protecting fabrication of top-gate MoS2 transistor arrays 期刊论文 Zhenghao Gu;Hao Liu;Yang Wang;Hao Zhu;Lin Chen;Qingqing Sun;David Wei Zhang
4 Performance improvement in p-Type WS2 field-effect transistors with 1T phase contacts 期刊论文 Yafen Yang;Han Li;Zhenghao Gu;Lin Chen;Hao Zhu;Li Ji;Qingqing Sun
5 Polarization of Bi2Se3 thin film toward non-volatile memory applications 期刊论文 Kai Zhang;Xinyi Zhu;Yafen Yang;Hao Zhu
6 一种基于拓扑绝缘体极化的非易失性存储器件及其制备方法 专利 张凯;朱颢;孙清清;张卫
7 一种二维负量子电容晶体管器件及其制备方法 专利 朱颢;张凯;杨雅芬;孙清清
8 Homogeneous dual‑gate MoS2 field‑effect transistors integrated by atomic layer deposition‑based film synthesis 期刊论文 Tao Chen;Yang Wang;Tianbao Zhang;Hao Zhu;Lin Chen;Qingqing Sun
9 Observation of different transport behaviors in a two-dimensional MoTe2 field-effect transistor with engineered gate stack 期刊论文 Yafen Yang;Xinyi Zhu;Kai Zhang;Hao Zhu;Lin Chen;Qingqing Sun
10 Band alignment of atomic layer deposited MoS2/(HfO2)x(Al2O3)1−x heterojunctions for device applications 期刊论文 Dong-Hui Zhao;Zi-Liang Tian;Hang Xu;Jin-Xin Chen;Hao Zhu;Lin Chen;Qing-Qing Sun;David Wei Zhang
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