用于中、低压功率电子系统的垂直隧穿场效应晶体管研究
61804186
2018
F0404.半导体电子器件与集成
周贤达
青年科学基金项目
副研究员
中山大学
24万元
抗辐照;MOSFET;静态特性;可靠性;动态特性
2019-01-01到2021-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | Low-Temperature-Processed Power Schottky Diode Based on Amorphous Indium-Tin-Zinc-Oxide/Indium-Gallium-Zinc-Oxide Bilayer | 期刊论文 | Xianda Zhou;Lei Lu;Kai Wang;Man Wong;Johnny K.O. Sin;Hoi-Sing Kwok |
| 2 | Extracting the Critical Breakdown Electrical Field of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide from the Avalanche Breakdown of n-Indium-Gallium-Zinc-Oxide/p+-Nickel-Oxide Heterojunction Diode | 期刊论文 | Xianda Zhou;Lei Lu;Jin Wei;Yang Liu;Kai Wang;Man Wong;Hoi-Sing Kwok |
| 3 | Low-Temperature Fabricated Amorphous Oxide Semiconductor Heterojunction Diode for Monolithic 3D Power Integration Applications | 会议论文 | Xianda Zhou;Kai Wang;Yang Liu;Lei Lu;Johnny K.O. Sin |
| 4 | 一种隧穿场效应晶体管结构 | 专利 | 周贤达;林俊豪;王凯 |
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