基于铟磷铋量子点的近红外超宽光谱发光二极管研究
61904106
2019
F0403.半导体光电子器件与集成
张立瑶
青年科学基金项目
副教授
上海理工大学
23万元
外延生长;发光二极管;铟磷铋;量子点
2020-01-01到2022-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | InPBi薄膜材料的结构性能和光学性能研究 | 期刊论文 | 张立瑶 |
| 2 | Direct Bandgap Type-I Ge Quantum Dots/GeSnSi for SWIR and MWIR Lasers | 期刊论文 | Liyao Zhang;Peng Yu;Shuang Yao;Duo Feng;Jinmeng Dai |
| 3 | GaAsBi Quantum Dots for 1.55μm Laser Diode | 期刊论文 | Mingxuan Zhang;Liyao Zhang;Zhongyue Zhang;Peng Yu;Shuang Yao |
| 4 | Type-II GaAsBi QDs/GaSb for middle-wave and long-wave infrared lasers | 期刊论文 | Zhongyue Zhang;Liyao Zhang;Mingxuan Zhang;Shuang Yao;Peng Yu;Xiaodan Li |
| 5 | Structural Property Study for GeSn Thin Films | 期刊论文 | Liyao Zhang;Yuxin Song;Nils von den Driesch;Zhenpu Zhang;Dan Buca;Detlev Grützmacher;Shumin Wang |
| 6 | Highly Tensile-Strained Self-Assembled Ge Quantum Dots on InP Substrates for Integrated Light Sources | 期刊论文 | Qimiao Chen;Liyao Zhang;Yuxin Song;Xin Chen;Sebastian Koelling;Zhenpu Zhang;Yaoyao Li;PM Paul Koenraad;Jun Shao;Chuan Seng Tan;Shumin Wang;Qian Gong |
| 7 | 一种半导体量子点异质结材料及其制备方法与应用 | 专利 | 张立瑶 |
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