增强型GaN-on-Si MIS-HEMT功率器件场控能带机理与新技术

62004046
2020
F0404.半导体电子器件与集成
施宜军
青年科学基金项目
高级工程师
工业和信息化部电子第五研究所
24万元
氮化镓高电子迁移率晶体管;增强型器件;器件模型;绝缘栅极;结终端技术
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