【61274106】SiGe HBT单粒子效应电荷收集机制及其关键影响因素研究国家自然基金项目 - 国家自然科学基金查询网

SiGe HBT单粒子效应电荷收集机制及其关键影响因素研究

项目批准号： 61274106

批准年份： 2012

学科分类： F0406.集成电路器件、制造与封装

项目负责人：郭红霞

资助类别：面上项目

负责人职称：研究员

依托单位：中国科学院新疆理化技术研究所

资助金额： 84万元

关键词：电荷收集;HBT;微束实验;单粒子效应;SiGe;仿真

起止时间： 2013-01-01到2016-12-31

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序号	标题	类型	作者
1	3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon–germanium heterojunction bipolar transistors	期刊论文	邓伟\|郑齐文\|范雪\|肖尧\|
2	Single-event response of the SiGe HBT in TCAD simulations and laser microbeam experiment	期刊论文	Cui Jiang-Wei\|Wen Lin\|Liu Mo-Han\|Wang Xin\|
3	Impact of Bias Conditions on Total Ionizing Dose Effects of Co-60 gamma in SiGe HBT	期刊论文	He, Chaohui\|Wang, Xin\|Li, Pei\|Liu, Mohan\|
4	锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟	期刊论文	肖尧\|席善斌\|王信\|邓伟\|
5	重离子导致的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集三维数值模拟	期刊论文	崔江维\|席善斌\|王信\|邓伟\|
6	Three-dimensional simulation study of bias effect on single event effects of SiGe heterojunction bipolar transistor	期刊论文	Tang Du\|Xiong Cen\|Li Pei\|Wang Xin\|
7	3-D simulation study of single event effects of SiGe heterojunction bipolar transistor in extreme environment	期刊论文	Tang Du\|Xiong Cen\|Li Pei\|Wang Xin\|
8	Laser-Induced Single Event Transients in Local Oxidation of Silicon and Deep Trench Isolation Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors	期刊论文	Guo Hong-Xia\|Guo Qi\|Zhang Jin-Xin\|Wei Ying\|
9	锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真	期刊论文	文林\|崔江维\|王信\|张晋新\|

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