新型SiGe异质结双极器件低剂量率辐照损伤机理研究

61574171
2015
F0406.集成电路器件、制造与封装
郭红霞
面上项目
研究员
中国科学院新疆理化技术研究所
64万元
电离辐射效应;第一性原理模拟;低剂量率辐照;锗硅异质结双极晶体管
2016-01-01到2019-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by 60 Co γ irradiation under different biases 期刊论文 张晋新;郭旗;郭红霞;陆妩;贺朝会;王信;李培;文林
2 一种总剂量效应缺陷模型的确定方法及装置 专利 张晋新;郭红霞;任迪远
3 Impact of Bias Conditions on Total Ionizing Dose Effects of 60 Co γ in SiGe HBT 期刊论文 张晋新;郭旗;郭红霞;陆妩;贺朝会;王信;李培;刘默寒
4 An Investigation of ELDRS in Different SiGe Processes 期刊论文 李培;贺朝会;郭红霞;郭旗;张晋新;刘默寒
5 Comparison of Holes Trapping and Protons Transport Induced by Low Dose Rate Gamma radiation in Oxide on Different SiGe Processes 期刊论文 李培;贺朝会;郭红霞;张晋新;李永宏;魏佳男
6 锗硅异质结双极晶体管总剂量效应缺陷分布实验分析方法 专利 张晋新;郭红霞;郭旗
7 基于重离子微束辐照的锗硅异质结晶体管单粒子效应测试方法 专利 张晋新;郭红霞;张凤祁
8 An investigation of ionizing radiation damage in different SiGe processes 期刊论文 李培;刘默寒;贺朝会;郭红霞;张晋新;马婷
9 Heavy Ion and Laser Microbeam Induced Current Transients in SiGe Heterojunction Bipolar Transistor 期刊论文 李培;贺朝会;郭刚;郭红霞;张凤祁;张晋新;史淑廷
10 Synergistic effect of total ionizing dose on single event effect induced by pulsed laser microbeam on SiGe heterojunction bipolar transistor 期刊论文 张晋新;郭红霞;潘霄宇;郭旗;张凤祁;冯娟;王信;魏莹;吴宪祥
11 Heavy ion micro-beam study of single-event transient (SET) in SiGe heterjunction bipolar transistor 期刊论文 张晋新;郭红霞;张凤祁;贺朝会;李培
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