应变自组织InGaAs量子点光电材料的辐射损伤机理研究
11275262
2012
A3001.粒子束与物质相互作用
郭旗
面上项目
研究员
中国科学院新疆理化技术研究所
90万元
应变自组织;量子点;红外光电材料;铟镓砷;辐射损伤
2013-01-01到2016-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | 1.8MeV电子束辐照In0.53Ga0.47As/InP量子阱光致发光谱研究 | 会议论文 | 李豫东|文林|汪波|曾骏哲| |
| 2 | ＣＭＯＳ 有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究 | 期刊论文 | 郭旗|刘昌举|文林|汪波| |
| 3 | In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究 | 期刊论文 | 李豫东|李占行|文林|周东| |
| 4 | Changes of Photoluminescence of Electron Beam Irradiated Self-assembled InAs/GaAs Quantum Dots | 会议论文 | 艾尔肯|李豫东|周东|文林| |
| 5 | In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究 | 期刊论文 | 艾尔肯|王海娇|汪波|曾骏哲| |
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