载流子存储增强型超结IGBT的优化设计及开关可靠性机理研究

61804101
2018
F0404.半导体电子器件与集成
黄铭敏
青年科学基金项目
副教授
四川大学
24万元
开关可靠性;超结;导通电压;关断损耗;绝缘栅双极型晶体管
2019-01-01到2021-12-31
  • 中英文摘要
  • 结题摘要
  • 结题报告
  • 项目成果
  • 项目参与人
查看更多信息请先登录或注册
查看更多信息请先登录或注册
查看更多信息请先登录或注册
重置
序号 标题 类型 作者
1 一种含有隔离p-top区的逆导型超结IGBT 专利 马瑶;黄铭敏;胡敏
2 Snapback-free reverse conducting IGBT with p-float and n-ring surrounding trench-collector 期刊论文 Li Jie;Huang Mingmin;Chen Chang;Yang Zhimei;Ma Yao;Gong Min
3 A multiepi Superjunction MOSFET with a lightly doped MOS-channel diode 期刊论文 Huang Mingmin;Li Rui;Yang Zhimei;Ma Yao;Li Yun;Zhang Xi;Gong Min
4 一种浮空p柱的逆导型槽栅超结IGBT 专利 马瑶;黄铭敏;杨治美
5 一种含有高阻p-top区的逆导型超结IGBT 专利 马瑶;黄铭敏;杨治美
6 一种含有隔离p-top区的槽栅超结IGBT 专利 马瑶;黄铭敏;胡敏
7 Superjunction MOSFET with trench Schottky contact and embedded high-k insulator for excellent reverse recovery 会议论文 Li Rui;Huang Mingmin;Zhang Xi;Hu Min;Yang Zhimei;Ma Yao;Gong Min
8 Snapback-free reverse conducting IGBT with p-poly trench-collectors 期刊论文 Huang Mingmin;Li Jie;Xie Changjiang;Lai Li;Gong Min
9 Semi-superjunction IGBT with floating p-pillar and p-ring for low losses and high breakdown voltage 会议论文 Hu Min;Li Weidan;Huang Mingmin;Chen Chang;Gong Min
10 Carrier-storage-enhanced superjunction IGBT with n-Si and p-3C-SiC pillars 期刊论文 Li Rui;Huang Mingmin;Yang Zhimei;Ma Yao;Gong Min
11 Superjunction MOSFET with a trench contact on partly relatively lightly doped P-pillar for excellent reverse recovery 期刊论文 Li Rui;Huang Mingmin;Zhang Xi;Hu Min;Yang Zhimei;Ma Yao;Gong Min
12 一种含有浮空区及终止环的逆导型IGBT 专利 黄铭敏;李芸;陈昶
13 A novel power PiN diode with p-type Schottky anode and trench oxide for improving reverse recovery 会议论文 Li Weidan;Huang Mingmin;Li Yun;Yang Zhimei;Gong Min
14 一种含有浮空区包围背面槽栅的逆导型IGBT 专利 杨治美;黄铭敏;刘薇
15 一种含有背面槽型介质及浮空区的逆导型IGBT 专利 黄铭敏
16 Semi-superjunction IGBT with a relatively high-resistance p-top region for low on-state and turn-off losses 期刊论文 Hu Min;Huang Mingmin;Li Rui;Ma Yao;Yang Zhimei;Li Yun;Gong Min
17 A Vertical Superjunction MOSFET With n-Si and p-3C-SiC Pillars 期刊论文 Huang Mingmin;Deng Youqi;Lai Li;Yang Zhimei;Gao Bo;Gong Min
18 一种含有反向导电槽栅结构的超结MOSFET 专利 黄铭敏;李睿;李芸
19 Carrier storage enhanced Superjunction IGBT 专利 Huang Mingmin
20 一种含有高阻p-top区的槽栅超结IGBT 专利 马瑶;黄铭敏;李芸
21 Carrier storage enhanced Superjunction IGBT 专利 Huang Mingmin
22 Low-loss reverse blocking IGBT with PNM structure and trench collectors 期刊论文 Liu Fenghao;Huang Mingmin;Li Rui;Lai Li;Gong Min
23 一种浮空p柱的槽栅超结IGBT 专利 马瑶;黄铭敏;杨治美
查看更多信息请先登录或注册

相关项目

趋势报告

经验分享