铁电场效应晶体管的负电容效应研究

61404113
2014
F0404.半导体电子器件与集成
肖永光
青年科学基金项目
副教授
湘潭大学
25万元
铁电场效应晶体管;铁电负电容;亚阈值摆幅;铁电薄膜
2015-01-01到2017-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 Impact of total ionizing dose irradiation on Pt/SrBi2Ta2O9/HfTaO/Si memory capacitors 期刊论文 S. A. Yan Y. Xiong M. H. Tang Y. G. Xiao;W. Zhao;H. X. Guo;Y. Xiong;M. H. Tang;Z. Li;Y. G. Xiao;W. L. Zhang;H. Ding;J. W. Chen;Y. C. Zhou
2 An interface charge model for ferroelectric field effect transistor 期刊论文 Y. G. Xiao;J. Wang;D. B. Ma;M. H. Tang;Z. Li
3 An improved model for the surface potential and drain current in negative capacitance field effect transistors 期刊论文 Y. G. Xiao;D. B. Ma;J. Wang;G. Li;S. A. Yan;W. L. Zhang;Z. Li;M. H. Tang
4 Effect of zirconium or titanium component on electrical properties of PbZr1-XTiXO3 gated negative capacitance ferroelectric field-effect transistors 期刊论文 Y. G. Xiao;J. Wang;D. B. Ma;Z. Li;M. H. Tang
5 Influence of the annealing temperature of the Bi4Ti3O12 seeding layer on the structural and electrical properties of Bi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01O12 thin films 期刊论文 W. L. Zhang;M. H. Tang;Y. Xiong;K. Wang;Z. P. Wang;Y. G. Xiao;S. A. Yan;Z. Li;J. He
6 一种提高PZT铁电薄膜负电容的方法 专利 肖永光;王江;马东波;唐明华
7 Effects of drain-wall in mitigating N-hit single event transient via 45-nm CMOS process 期刊论文 X. Y. Xu;Y. Xiong;M. H. Tang;Y. G. Xiao;S. A. Yan;W. L. Zhang;W. Zhao;H. X. Guo;Z. Li
8 Two-dimensional negative capacitance transistor with polyvinylidene fluoride-based ferroelectric polymer gating 期刊论文 X. D. Wang;Y. Chen;G. G. Wu;D. Li;L. Q. Tu;S. Sun;H. Shen;T. Lin;Y. G. Xiao;M. H. Tang;W. D. Hu;L. Liao;P. Zhou;J. L. Sun;X. J. Meng;J. H. Chu;J. L. Wang
9 Ionizing radiation effect on metal–ferroelectric–insulator–semiconductormemory capacitors 期刊论文 S A Yan;G Li;W Zhao;H X Guo;Y Xiong;M H Tang;Z Li;Y G Xiao;W L Zhang;Z F Lei;Y C Zhou
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