【60566002】压力下电子-声子相互作用对半导体异质结构中电子输运性质的影响国家自然基金项目

压力下电子-声子相互作用对半导体异质结构中电子输运性质的影响

项目批准号： 60566002

批准年份： 2005

学科分类： F0405.半导体器件物理

项目负责人：班士良

资助类别：地区科学基金项目

负责人职称：教授

依托单位：内蒙古大学

资助金额： 20万元

关键词：电子输运;量子阱;混晶;压力;异质结

起止时间： 2006-01-01到2008-12-31

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序号	标题	类型	作者
1	光学声子对纤锌矿 AlN/GaN/AlN 量子阱中二维电子气迁移率的影响	会议论文	屈媛\|班士良\|
2	应变闪锌矿(001)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应	期刊论文	班士良\|哈斯花\|
3	压力下极化子效应对有限深量子阱中施主结合能的影响	期刊论文	班士良\|温淑敏\|
4	Pressure effect on the electron mobility in AlAs/GaAs quantum wells	期刊论文	Ban Shi-Liang\|Jia Xiu-Min\|Hao Guo-Dong\|
5	Binding energies of excitons in a strained wurtzite GaN/AlGaN quantum well influenced by screening and hydrostatic pressure	期刊论文	Ha, S. H.\|Ban, S. L.\|
6	静压下ZnSe/Zn_(1-x)Cd_xSe应变异质结中电子的本征态	期刊论文	白鲜萍\|班士良\|
7	压力下屏蔽对量子阱中激子结合能的影响	会议论文	哈斯花\|班士良\|
8	光学声子散射对纤锌矿AlN/GaN异质结中电子迁移率的影响	期刊论文	班士良\|周晓娟\|
9	Cyclotron resonance of a polaron in a realistic heterojunction and its pressure effect	期刊论文	Yu, X. L.\|Ban, S. L.\|
10	电子-空穴气屏蔽影响下有限深量子阱中电子与空穴的本征态	期刊论文	哈斯花\|班士良\|
11	压力下应变异质结中施主杂质态的Stark效应	期刊论文	张敏\|班士良\|
12	光学声子散射对纤锌矿 AlN/GaN 异质结中电子迁移率的影响	会议论文	班士良\|周晓娟\|
13	压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响	期刊论文	班士良\|温淑敏\|
14	压力下应变异质结中施主杂质态的 stark 效应	会议论文	张敏\|班士良\|
15	Electron mobility for a model AlxGa1-xAs/GaAs heterojunction under pressure	期刊论文	Bai, X. P.\|Ban, S. L.\|
16	光学声子对 GaN/AlGaN 量子阱中受屏蔽激子结合能的影响	会议论文	哈斯花\|班士良\|
17	屏蔽对压力下量子阱中激子结合能的影响	期刊论文	Ban, S. L.\|Ha, S. H.\|
18	Effect of hydrostatic pressure on the binding energies of excitons in quantum wells	期刊论文	Zhao, G. J.\|Ban, S. L.\|Liang, X. X.\|
19	Interface excitons in a type-II ZnSe/ZnTe heterojunction under hydrostatic pressure: the triangle potential well approximation	期刊论文	Ban, SL\|Guo, ZZ\|Liang, XX\|
20	光学声子对纤型矿和闪锌矿 AlN/GaN量子阱中电子迁移率的影响	期刊论文	贾秀敏\|班士良\|
21	双势垒中类氢杂质位置变化对量子隧穿的影响	期刊论文	贾秀敏\|武维\|班士良\|
22	流体静压力下磁场对半导体异质结中束缚极化子的影响(英文)	期刊论文	张敏\|王树涛\|班士良\|
23	流体静压力下应变闪锌矿(111)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的结合能(英文)	期刊论文	哈斯花\|班士良\|
24	介电常数的修正对半导体异质结中杂质态结合能的影响	期刊论文	班士良\|李永治\|
25	ZnSe/Zn1-xCdxSe应变异质结中电子迁移率的流体静压力效应	期刊论文	白鲜萍\|班士良\|
26	压力下半导体异质结构中电子 - 声子相互作用及相关问题	奖励	赵国军\|班士良\|郭子政\|
27	应变闪锌矿 (001) 取向 GaN/AlGaN 量子阱中受屏蔽激子的压力效应	会议论文	哈斯花\|班士良\|
28	光学声子对纤型矿和闪型矿A lN/GaN量子阱中电子迁移率的影响	会议论文	班士良\|贾秀敏\|
29	介电常数对半导体异质结中杂质态结合能的影响	会议论文	班士良\|李永治\|

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