再问科研
基金查询
学科分析
选题分析
AI润色(Beta)
新闻公告
趋势报告
经验分享
登录
注册
陆磊
青年科学基金项目
项目编号:
61904006 【年份:2019】
项目名称:
金属氧化物薄膜晶体管的迁移率和可靠性的耦合模型和联合优化的研究
资助金额:
23万
单位名称:
北京大学深圳研究生院
学科分类:
F0404.半导体电子器件与集成
参与者:
北京大学深圳研究生院
金属氧化物薄膜晶体管的迁移率和可靠性的耦合模型和联合优化的研究
项目批准号:
61904006
批准年份:
2019
学科分类:
F0404.半导体电子器件与集成
项目负责人:
陆磊
资助类别:
青年科学基金项目
负责人职称:
副研究员
依托单位:
北京大学深圳研究生院
资助金额:
23万元
关键词:
薄膜晶体管(TFT);耦合模型;金属氧化物半导体;可靠性;迁移率
起止时间:
2020-01-01到2022-12-31
中英文摘要
结题摘要
结题报告
项目成果
项目参与人
查看更多信息请先登录或注册
查看更多信息请先登录或注册
查看更多信息请先登录或注册
标题
类型
全部
期刊论文
会议论文
著作
奖励
专利
作者
搜索
重置
序号
标题
类型
作者
1
Top-Gate Amorphous Indium-Gallium-Zinc-OxideThin-Film Transistors With Magnesium Metallized Source/Drain Regions
期刊论文
Peng Hao;Chang Baozhu;Fu Haishi;Yang Huan;Zhang Yuqing;Zhou Xiaoliang;Lu Lei;Zhang Shengdong
2
Metal Reaction-Induced Bulk-Doping Effect in Forming Conductive Source-Drain Regions of Self-Aligned Top-Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors
期刊论文
Yang Huan;Zhou Xiaoliang;Fu Haishi;Chang Baozhu;Min Yuxin;Peng Hao;Lu Lei;Zhang Shengdong
3
双栅薄膜晶体管的结构及制造方法
专利
陆磊;张盛东;张冠张;张立宁;李倩;王云萍;周雨恒
4
Reliable High-Performance Amorphous InGaZnO Schottky Barrier Diodes With Silicon Dioxide Passivation Layer
期刊论文
Jitong Zhou;Lei Lu;Yunping Wang;Xianda Zhou;Guijun Li;Zhihe Xia;Fion Sze Yan Yeung;Man Wong;Hoi Sing Kwok;Shengdong Zhang
5
Reactively-sputtered AlOx passivation layer for self-aligned top-gate amorphous InGaZnO thin-film transistors
期刊论文
Xiaoliang Zhou;Yunkai Cao;Jiye Li;Huan Yang;Wengao Pan;Lei Lu;Shengdong Zhang
6
Suppression of the Short-Channel Effect in Dehydrogenated Elevated-Metal MetalOxide (EMMO) Thin-Film Transistors
期刊论文
Lv Nannan;Lu Lei;Wang Zening;Wang Huaisheng;Zhang Dongli;Wong Man;Wang Mingxiang
7
透气导电材料、制造方法、半导体器件以及双栅TFT器件
专利
陆磊;孙博文;李吉业;王云萍
8
Extracting the Critical Breakdown Electrical Field of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide From the Avalanche Breakdown of n-Indium-Gallium-Zinc-Oxide/p(+)-Nickel-Oxide Heterojunction Diode
期刊论文
Zhou Xianda;Lu Lei;Wei Jin;Liu Yang;Wang Kai;Wong Man;Kwok Hoi-Sing
9
Investigation to the Carrier Transport Properties in Heterojunction-Channel Amorphous Oxides Thin-Film Transistors Using Dual-Gate Bias
期刊论文
Huan Yang;Xiaoliang Zhou;Lei Lu;Shengdong Zhang
10
双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法
专利
刘发扬;陆磊;张盛东;王云萍;周晓梁
11
一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法
专利
王鹏飞;陆磊;王云萍;杨欢;周晓梁;张盛东
12
柔性薄膜晶体管的结构及制造方法
专利
陆磊;张盛东;焦海龙;张敏;周航;周雨恒;王云萍
13
Systematic Defect Manipulation in Metal Oxide Semiconductors towards High-Performance Thin-Film Transistors
会议论文
Yuqing Zhang;Lei Lu;Zhihe Xia;Jiapeng Li;Yang Shao;Sisi Wang;Shengdong Zhang;Hoi-Sing Kwok;Man Wong
14
Self-Heating Stress-Induced Severe Humps in Transfer Characteristics of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors
期刊论文
Huan Yang;Tengyan Huang;Xiaoliang Zhou;Jiye Li;Sikai Su;Lei Lu;Shengdong Zhang
查看更多信息请先登录或注册
相关项目
1
基于超薄有源层的垂直有机场效应晶体管的研究
2
栅界面电荷对铪基铁电晶体管耐久性的退化机制研究
3
β-Ga2O3 MOSFET高压功率器件的单粒子辐射效应研究
趋势报告
国自然申请攻略干货全集(1月30日大更新)
【专业会员】独享&免费内容合集
2023年国自然二级学科资助率汇总
经验分享
国自然申请攻略干货全集(1月30日大更新)
【专业会员】独享&免费内容合集
2023年国自然二级学科资助率汇总
年份:
请选择
2022年
2021年
2020年
2019年
2018年
2017年
2016年
2015年
2014年
2013年
2012年
2011年
2010年
2009年
2008年
2007年
2006年
2005年
2004年
2003年
2002年
2001年
2000年
1999年
1998年
1997年
1996年
1995年
1994年
1993年
1992年
1991年
1990年
1989年
1988年
项目负责人:
单位名称:
提交
由于2020年国自然政策发生变化,若您身边有2020年获得过国自然的请提交一下