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唐吉龙
面上项目
项目编号:
61574022 【年份:2015】
项目名称:
3-5μm波段W型InAs/GaInSb量子阱材料及器件研究
资助金额:
68万
单位名称:
长春理工大学
学科分类:
F0401.半导体材料
参与者:
长春理工大学
3-5μm波段W型InAs/GaInSb量子阱材料及器件研究
项目批准号:
61574022
批准年份:
2015
学科分类:
F0401.半导体材料
项目负责人:
唐吉龙
资助类别:
面上项目
负责人职称:
副教授
依托单位:
长春理工大学
资助金额:
68万元
关键词:
W型激光器;量子阱;应力;锑化物;波长展宽
起止时间:
2016-01-01到2019-12-31
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1
High density GaAs nanowire arrays through substrate processing engineering
期刊论文
亢玉彬;唐吉龙;王鹏华;林逢源;方铉;房丹;王登魁;王晓华;魏志鹏
2
一种半导体光放大器
专利
魏志鹏;唐吉龙;贾慧民;方铉;张晶;郝永芹;王菲;马晓辉;王晓华
3
GaAs 纳 米 线 晶 体 结 构 及 光 学 特 性
期刊论文
王鹏华;唐吉龙;亢玉彬;方铉;房丹;王登魁;林逢源;王晓华;魏志鹏
4
一种低应力高导热半导体衬底及其制备方法
专利
唐吉龙;申琳;魏志鹏;贾慧民;王华涛;宿世臣;薄报学;方铉;王登魁;马晓辉
5
高应变 InxGa1-xAs 薄膜的结晶质量及光学特性
期刊论文
亢玉彬;唐吉龙;张健;方铉;房丹;王登魁;林逢源;魏志鹏
6
Optical properties improvement of GaSb epilayers through defects compensation via doping
期刊论文
王登魁;刘雪;唐吉龙;方铉;房丹;李金华;王晓华;陈锐;魏志鹏
7
一种免焊料高导热半导体衬底及其制备方法
专利
魏志鹏;唐吉龙;申琳;宿世臣;张贺;王海珠;房丹;王登魁;王晓华;马晓辉
8
Brief Review of Epitaxy and Emission Properties of GaSb and Related Semiconductors
期刊论文
牛守柱;魏志鹏;方铉;王登魁;王新伟;高娴;陈锐
9
一种基底可多次利用的高效散热半导体衬底的制备方法
专利
唐吉龙;张健;魏志鹏;宿世臣;范杰;张晶;房丹;方铉;林逢源;马晓辉
10
生长中断法生长 InAs / GaSbⅡ 型超晶格材料 表面形貌的研究
期刊论文
李承林;房丹;张健;高佳旭;方铉;王登魁;唐吉龙
11
一种量子点带间级联激光器
专利
魏志鹏;唐吉龙;方铉;刘雪;高娴;贾慧民;范杰;马晓辉;王晓华
12
氮钝化对 Te 掺杂 GaSb 材料光学性质的影响
期刊论文
容天宇;房丹;谷李彬;方铉;王登魁;唐吉龙;王新伟;王晓华
13
一种窄线宽半导体激光器
专利
魏志鹏;唐吉龙;贾慧民;方铉;房丹;牛守柱;朱笑天;李洋;王晓华
14
Band alignment at a MgO/GaSb heterointerface usingx-ray photoelectron spectroscopy measurements
期刊论文
李如雪;魏志鹏;刘雪;李永峰;方铉;唐吉龙;房丹;高娴;王登魁;郝永琴;姚斌;马晓辉;王晓华
15
Investigation of Localized States in GaAsSb Epilayers Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
高娴;魏志鹏;赵海峰;杨海慧;陈锐;方铉;唐吉龙;房丹;王登魁;李如雪;葛啸天;马晓辉;王晓华
16
Effect of rapid thermal annealing on the optical properties of GaAsSb alloys
期刊论文
高娴;魏志鹏;方铉;唐吉龙;房丹;王登魁;楚学影;李金华;马晓辉;王晓华;陈锐
17
一种高导热率半导体衬底及其制备方法和应用
专利
唐吉龙;王鹏华;贾慧民;晏长岭;金亮;方铉;张贺;王登魁;马晓辉
18
一种发光效率增强的半导体激光器
专利
魏志鹏;方铉;牛守柱;唐吉龙;王登魁;房丹;王海珠;李金华;楚学影;马晓辉;王晓华
19
Localized states emission in type-I GaAsSb/AlGaAs multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
葛啸天;王登魁;高娴;方铉;牛守柱;高宏一;唐吉龙;王晓华;魏志鹏;陈锐
20
Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器
专利
唐吉龙;魏志鹏;方铉;房丹;高娴;牛守柱;王菲;马晓辉;王晓华
21
用分子束外延(MBE)在Gasb衬底上无催化制备Gasb纳米线的方法
专利
唐吉龙;方铉;魏志鹏;高娴;陈芳;房丹;李金华;楚学影;方芳;王晓华;王菲
22
Analysis of the influence and mechanism of sulfur passivation on the dark current of a single GaAs nanowire photodetector
期刊论文
陈雪;夏宁;杨增玉;宫凡;魏志鹏;唐吉龙;方铉;房丹;廖蕾
23
Electron irradiation-induced defects and photoelectric properties of Te- doped GaSb
期刊论文
王登魁;陈丙坤;魏志鹏;方铉;唐吉龙;房丹;艾尔肯;王晓华;玛丽雅;郭琦
24
Optical characteristics of GaAsSb alloy after rapid thermal annealing
期刊论文
高娴;赵海峰;方铉;唐吉龙;房丹;王登魁;王晓华;魏志鹏;陈锐
25
一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法
专利
魏志鹏;贾慧民;唐吉龙;牛守柱;王登魁;王新伟;冯源;王晓华;马晓辉
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