锗硅量子点分子的耦合效应研究
10474012
2004
A2004.凝聚态物质电子结构
陆昉
面上项目
教授
复旦大学
29万元
耦合量子点;深能级瞬态谱;锗硅;导纳谱
2005-01-01到2007-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | The study of double layer quan | 会议论文 | Fengying Yuan, Zuiming Jiang a |
| 2 | Ge/Si 量子点退火特性研究 | 会议论文 | 蔡其佳，和川，陶镇生，陆昉 |
| 3 | Admittance spectroscopy of Si/ | 期刊论文 | Xi Li,W. Xu, Feng Ying Yuan, |
| 4 | Optical spectrum of a two-dime | 期刊论文 | C.H.Yang,W.Xu,Z.Zeng,F.Lu,andC |
| 5 | 生长在GeSi应变合金层上的Ge量子 | 会议论文 | 陶镇生，占宁，杨洪斌，蒋最敏， |
| 6 | Energy levels in doped SiGe qu | 期刊论文 | X.S. Cai, J. Qin, H.B. Yang, F |
| 7 | Admittance spectroscopy of GeS | 期刊论文 | Xi Li, W. Xu, Shihai Cao, Qiji |
| 8 | Technique to detect two-photon | 期刊论文 | Yan Ling and Fang Lu |
| 9 | 锗硅双层量子点耦合效应的研究 | 会议论文 | 原凤英，蒋最敏，陆昉 |
| 10 | The Study of coupling effect i | 期刊论文 | Fengying Yuan，Zuimin Jiang an |
| 11 | The effects of thermal anneali | 期刊论文 | Qijia Cai,Hao Zhou, Fang Lu |
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