基于双极场效应器件的CMOS数字射频功率放大器理论与技术研究
61306036
2013
F0402.集成电路设计
邹望辉
青年科学基金项目
副教授
湖南大学
25万元
双极场效应晶体管;数字极化调制;CMOS数字射频功率放大器;片上耦合电感
2014-01-01到2016-12-31
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| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | 标准CMOS工艺下片上8型电感多路径和堆叠结构实验研究 | 期刊论文 | Wanghui Zou|Diping Chen|Wei Peng|Yun Zeng| |
| 2 | 一种包含堆叠层间邻近效应的片上堆叠电感串联电阻解析模型 | 会议论文 | Wanghui Zou|Yun Zeng| |
| 3 | 一种基于标准体硅CMOS工艺的高速横向PIN多晶硅光探测器 | 期刊论文 | Wanghui Zou|Yu Xia|Diping Chen|Yun Zeng| |
| 4 | 基于SOI工艺的石墨烯栅控横向PIN光探测器 | 期刊论文 | Wanghui Zou|Yu Xia|Wei Peng|Yun Zeng| |
| 5 | 一种改进的片上堆叠电感串联电阻解析模型 | 会议论文 | Wanghui Zou|Xiaofei Chen|Xuecheng Zou| |
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