基于分离型RC-IGBT的新结构及模型研究

61604027
2016
F0404.半导体电子器件与集成
陈伟中
青年科学基金项目
副教授
重庆邮电大学
19万元
续流二极管;逆导型绝缘栅双极型晶体管;绝缘栅双极型晶体管;负阻效应
2017-01-01到2019-12-31
  • 中英文摘要
  • 结题摘要
  • 结题报告
  • 项目成果
  • 项目参与人
查看更多信息请先登录或注册
查看更多信息请先登录或注册
查看更多信息请先登录或注册
重置
序号 标题 类型 作者
1 一种具有槽型氧化层和横向超结的LDMOS器件 专利 陈伟中;贺利军;黄义
2 A snapback-free TOL-RC-LIGBT with vertical P-collector and N-buffer design 期刊论文 Chen Weizhong;Huang Yao;He Lijun;Han Zhengsheng;Huang Yi
3 A snapback-free RC-LIGBT with separated LDMOS and LIGBT by the L-shaped SiO2 layer 期刊论文 Chen Weizhong;Huang Yao;Li Shun;Wang LingLi;He Lijun;Huang Yi;Han Zhengsheng
4 A Snapback-Free and Low-Loss RC-IGBT With Lateral FWD Integrated in the Terminal Region 期刊论文 Weizhong Chen;Yao Huang;Shun Li;Yi Huang;Zhengsheng Han
5 The Simulation Study of the SOI Trench LDMOS With Lateral Super Junction 期刊论文 Chen Weizhong;He Lijun;Han Zhengsheng;Huang Yi
6 一种具有槽型氧化层和垂直缓冲层的RC-LIGBT 专利 陈伟中;贺利军;黄义
7 一种具有多通道电流栓的 SA-LIGBT器件 专利 陈伟中;李顺;黄垚;黄元熙;黄义;贺利军;张红升
8 一种利用结终端集成横向续流二极管的 RC-IGBT 器件 专利 陈伟中;黄垚;李顺;黄义;张红升;周通
9 一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件 专利 陈伟中;黄垚;李顺;黄义;贺利军
10 Snapback-free RC-LIGBT with integrated LDMOS and LIGBT 期刊论文 Weizhong Chen;Shun Li;Yao Huang;Yi Huang;LiJun He;ZhengSheng Han
11 一种集成MOSFET和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件 专利 陈伟中;李顺;黄义;贺利军;秦窈
12 一种具有栅控集电极的SA-LIGBT器件 专利 陈伟中;李顺;黄垚;黄义;贺利军;周通;高广;李心纪
13 一种通过MOS管控制结终端集成体二极管的RC-IGBT器件 专利 陈伟中;郭乔;贺利军;黄义
14 A RC-IGBT with built-in free wheeling diode controlled by MOSFET 期刊论文 Chen Weizhong;Guo Qiao;He Lijun;Han Zhengsheng;Wang Yuchan;Li Xiaoyun
查看更多信息请先登录或注册

相关项目

趋势报告

经验分享